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微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究 被引量：3
1
作者 徐进 杨德仁 +2 位作者 储佳 马向阳 阙端麟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期550-554,共5页
利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小 ,并有冲出型位错产生 .而在CZ中 ,生成了大量的多面体氧沉淀 ,并且随着热氧化时... 利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小 ,并有冲出型位错产生 .而在CZ中 ,生成了大量的多面体氧沉淀 ,并且随着热氧化时间的延长 。 展开更多
关键词 直拉单晶硅 透射电镜 氧化诱生层错 晶体缺陷 热氧化时间 层错尺寸
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