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复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响
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作者 陈志博 王辰伟 +4 位作者 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期323-329,共7页
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(... 以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析复合磨料的表面物相结构及化学键组成。研究结果表明,所制备的复合磨料呈现出“荔枝”形,平均粒径为70~90 nm,CeO_(2)粒子主要以Si—O—Ce键与SiO_(2)内核结合。将所制备的复合磨料配置成抛光液进行层间介质化学机械抛光(CMP)实验。实验结果表明,Zeta电位随着pH值的降低而升高,当pH值约为6.8时达到复合磨料的等电点。当pH值为3时,层间介质去除速率达到最大,为481.6 nm/min。此外,研究发现去除速率还与摩擦力和温度有关,CMP后的SiO_(2)晶圆均方根表面粗糙度为0.287 nm。 展开更多
关键词 复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率
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酸性层间介质CMP抛光液胶体稳定性的研究
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作者 陈志博 王辰伟 +2 位作者 王雪洁 王海英 盛媛慧 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第12期1476-1482,共7页
针对酸性硅溶胶(SiO_(2))抛光液稳定性较差的问题,研究在磨料质量分数为16%,抛光液pH值为3的条件下,添加不同浓度阴离子表面活性剂烷基多苷磺基琥珀酸单酯盐(APG)、非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚-9(AEO-9)、高聚物聚丙烯酸(PAA)、... 针对酸性硅溶胶(SiO_(2))抛光液稳定性较差的问题,研究在磨料质量分数为16%,抛光液pH值为3的条件下,添加不同浓度阴离子表面活性剂烷基多苷磺基琥珀酸单酯盐(APG)、非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚-9(AEO-9)、高聚物聚丙烯酸(PAA)、聚乙二醇(PEG)对酸性抛光液的分散性能与SiO_(2)去除速率的影响。通过研究不同分散剂对抛光液的Zeta电位、粘度、紫外光谱、去除速率的影响,确定了不同分散剂的最佳浓度。研究表明,当在抛光液中分别滴加质量分数0.15%AEO-9、0.1%PEG、0.2%PAA、0.15%APG时,其抛光液的分散性能与抛光性能达到最佳;其中AEO-9的分散效果与抛光性能最好,在溶液中滴加质量分数0.15%AEO-9时,其溶液Zeta电位为-31.04 mV,粘度为5.58 mPa·s,去除速率为311.2 nm/min,并可使表面粗糙度降至0.235 nm。揭示了AEO-9在酸性硅溶胶体系下的作用机理。 展开更多
关键词 层间介质 化学机械抛光 分散剂 去除速率
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层间介质(ILD)CMP工艺分析 被引量:3
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作者 詹阳 周国安 +2 位作者 王东辉 杨元元 胡兴臣 《电子工业专用设备》 2016年第6期40-44,共5页
论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技... 论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技术要求,工艺流程和设备结构需求。 展开更多
关键词 层间介质 平整度 抛光垫 修整器
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层间介质层平坦化新技术:化学-机械抛光
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作者 洪雷平 《微电子技术》 1995年第5期54-56,共3页
关键词 抛光 层间介质 平垣化 半导体器件
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不同介质对碳纤维拉挤板材层间剪切性能的影响 被引量:4
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作者 杨忠 江一杭 +2 位作者 刘鲜红 张春爱 王朋飞 《天津科技》 2021年第7期90-92,共3页
在拉挤碳板之间分别选用玻璃纤维两向布、方格布、连续毡以及不加任何介质,并采用VARTM工艺制备成碳纤维复合材料。然后,利用3种方法对碳板与碳板间剪切性能进行测试。结果表明,采用不同介质对拉挤板材层间剪切性能存在较大的影响,其中... 在拉挤碳板之间分别选用玻璃纤维两向布、方格布、连续毡以及不加任何介质,并采用VARTM工艺制备成碳纤维复合材料。然后,利用3种方法对碳板与碳板间剪切性能进行测试。结果表明,采用不同介质对拉挤板材层间剪切性能存在较大的影响,其中连续毡性抗剪强度最佳;采用不同测试方法表征碳纤维拉挤板层间剪切性能存在较大的差异,其中层间剪切测试方法的强度测值最高。 展开更多
关键词 碳纤维拉挤板材 层间介质 复合材料 剪切性能
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基于Low K介质QFN 55nm铜线键合ILD断层的分析 被引量:1
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作者 张金辉 程秀兰 《光电技术应用》 2013年第2期44-50,共7页
主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类,特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析,以及铜线键合过程中如何优化工艺。在工艺优化过程中主要采用了键合参数的优化来改善芯片本身存在的设计缺陷,这主要是从... 主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类,特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析,以及铜线键合过程中如何优化工艺。在工艺优化过程中主要采用了键合参数的优化来改善芯片本身存在的设计缺陷,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化,通过大量实验设计,获得了尽可能少的层间介质断层缺陷。 展开更多
关键词 低介电常数 层间介质 铜线键合 实验设计
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某航天产品上移位寄存器的失效分析
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作者 佘阳 龙俊 +2 位作者 杨少华 陆家乐 李劲 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第3期25-29,共5页
通过加速贮存试验对某航天产品进行延寿,试验期间移位寄存器发生故障。为了确认移位寄存器失效的具体原因,利用光学显微镜观察、电特性测试、 X射线(X-ray)检查和扫描电镜分析方法对移位寄存器进行了分析,最终得出结论,认为该移位寄存... 通过加速贮存试验对某航天产品进行延寿,试验期间移位寄存器发生故障。为了确认移位寄存器失效的具体原因,利用光学显微镜观察、电特性测试、 X射线(X-ray)检查和扫描电镜分析方法对移位寄存器进行了分析,最终得出结论,认为该移位寄存器失效的主要原因是层间介质的机械损伤。 展开更多
关键词 加速贮存试验 移位寄存器 层间介质 机械损伤 失效分析
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芯片剥层技术在集成电路失效分析中的应用 被引量:6
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作者 陈媛 李少平 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期10-14,共5页
随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性。本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层间介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后... 随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性。本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层间介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后对比分析,并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用。 展开更多
关键词 失效分析 钝化 金属化 层间介质 技术
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一种采用微小通孔的双层布线技术
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作者 杨国渝 伍乾永 陈鹏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期46-48,共3页
文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50
关键词 集成电路 布线 聚酰亚胺 层间介质 微小通孔 二氧化硅
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低介电常数氟化非晶碳膜多层布线技术
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《微电子技术》 1998年第2期14-14,共1页
关键词 非晶碳膜 布线 介电常数比 层间介质 成膜技术 技术特点 氟化 二氧化 低介 布线电容
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摩擦化学反应活化能在SiO_2-CMP中的作用 被引量:2
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作者 刘瑞鸿 郭东明 +1 位作者 金洙吉 康仁科 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第3期275-280,共6页
基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)... 基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)过程中,因为反应速率对温度的依赖程度降低,摩擦产生的机械能除了部分转化为热能等其他形式的能,绝大部分直接转化为化学能,即直接降低了化学反应活化能,从而提高了反应速率;纯化学作用和纯机械作用在整个CMP去除量中所占比重很小,可以忽略不计;不同浓度通过对摩擦力和活化能降低量的影响,从而影响了温度和抛光效果的相关性,活化能降低量与摩擦力基本呈线性关系. 展开更多
关键词 摩擦化学反应活化能 层间介质 化学机械抛光
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TFT-LCD白画面边缘发青不良机理分析及改善研究 被引量:1
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作者 辛利文 潘信桦 +5 位作者 方业周 赵生伟 张小凤 张文龙 张伟 石天雷 《电子工艺技术》 2017年第6期359-363,共5页
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)在显示白画面的时候,屏幕边缘有发青的现象,这种不良现象严重影响人们的观赏感受,需要将这种不良进行改善。经过分析得知,TFT(Thin Film Transistor)基板的层间介质层(interlayer ... TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)在显示白画面的时候,屏幕边缘有发青的现象,这种不良现象严重影响人们的观赏感受,需要将这种不良进行改善。经过分析得知,TFT(Thin Film Transistor)基板的层间介质层(interlayer dielectrics,ILD)的氢化氮化硅(SiN_X:H)薄膜厚度偏薄,致使TFT基板的蓝光透过率偏大,从而导致TFT-LCD在显示白画面时,白光中蓝色光的比例偏大,最终出现发青现象。通过增加SiN_X:H薄膜的沉积厚度及减少SD(Source and Drain)干法刻蚀时间,使无SD覆盖的ILD膜层的SiN_X:H薄膜厚度增加,减小了TFT基板的蓝光透过率,最终TFT-LCD的白画面颜色均匀,无发青现象。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示 层间介质 氢化氮化硅 透过率 青色
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新产品新技术(173)
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作者 龚永林 《印制电路信息》 2021年第11期67-67,共1页
超高密度互连(UHDI)新概念IPC标准工作组针对PCB产品复杂性,提出了超高密度互连(UHDI)新概念。UHDI板的导线宽和间距小于50 mm、层间介质厚度小于50 mm、微导通孔直径小于75 mm,产品性能超过现有HDI板的C级。超HDI结构是趋同类载板(SLP)... 超高密度互连(UHDI)新概念IPC标准工作组针对PCB产品复杂性,提出了超高密度互连(UHDI)新概念。UHDI板的导线宽和间距小于50 mm、层间介质厚度小于50 mm、微导通孔直径小于75 mm,产品性能超过现有HDI板的C级。超HDI结构是趋同类载板(SLP)和IC封装载板,要实现线宽和间距从40微米到20微米的制造过渡。(pcb007.com,2021/9/29)。 展开更多
关键词 高密度互连 HDI板 IPC标准 线宽 微导通孔 层间介质
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Mitigating Deep Dielectric Charging Effects at the Orbits of Jovian Planets 被引量:2
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作者 YU Xiangqian SONG Siyu +4 位作者 CHEN Hongfei ZONG Qiugang ZOU Hong SHI Weihong CHEN Ao 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2020年第5期804-815,共12页
Deep dielectric charging/discharging,caused by high energy electrons,is an important consideration in electronic devices used in space environments because it can lead to spacecraft anomalies and failures.The Jovian p... Deep dielectric charging/discharging,caused by high energy electrons,is an important consideration in electronic devices used in space environments because it can lead to spacecraft anomalies and failures.The Jovian planets,including Saturn,Uranus,Neptune and Jupiter’s moons,are believed to have robust electron radiation belts at relativistic energies.In particular,Jupiter is thought to have caused at least 42 internal electrostatic discharge events during the Voyager 1 flyby.With the development of deep space exploration,there is an increased focus on the deep dielectric charging effects in the orbits of Jovian planets.In this paper,GEANT4,a Monte Carlo toolkit,and radiation-induced conductivity(RIC)are used to calculate deep dielectric charging effects for Jovian planets.The results are compared with the criteria for preventing deep dielectric charging effects in Earth orbit.The findings show that effective criteria used in Earth orbit are not always appropriate for preventing deep dielectric charging effects in Jovian orbits.Generally,Io,Europa,Saturn(R_S=6),Uranus(L=4.73)and Ganymede missions should have a thicker shield or higher dielectric conductivity,while Neptune(L=7.4)and Callisto missions can have a thinner shield thickness or a lower dielectric conductivity.Moreover,dielectrics grounded with double metal layers and thinner dielectrics can also decrease the likelihood of discharges. 展开更多
关键词 Jovian planets orbits Earth orbits deep dielectric charging effect space radiation
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虚拟通孔对互连温度变化的影响 被引量:1
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作者 王增 董刚 +1 位作者 杨银堂 李建伟 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期617-622,共6页
互连温升越高,引起的互连温度效应越明显.通孔具有相对较高的热导率,可以成为有效的热传导途径,极大地降低互连平均温升.针对通孔这一特性引入虚拟通孔,建立考虑多虚拟通孔效应的互连平均温升模型.所提模型将多通孔效应整合到层间介质... 互连温升越高,引起的互连温度效应越明显.通孔具有相对较高的热导率,可以成为有效的热传导途径,极大地降低互连平均温升.针对通孔这一特性引入虚拟通孔,建立考虑多虚拟通孔效应的互连平均温升模型.所提模型将多通孔效应整合到层间介质的有效热导率中得到更为精确的结果.此外根据不同的层间介质材料对多通孔效应进行分析讨论,并对多通孔效应进行扩展应用,得出使互连平均温升最小时的通孔间距与通孔数量.所提模型应用到集成电路设计中可以提高电路设计的精确度,优化电路性能. 展开更多
关键词 互连建模 互连平均温升 多通孔效应 虚拟通孔 层间介质
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