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题名摩擦化学反应活化能在SiO_2-CMP中的作用
被引量:2
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作者
刘瑞鸿
郭东明
金洙吉
康仁科
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机构
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
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出处
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2010年第3期275-280,共6页
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基金
国家自然科学重大基金资助项目(50390061)
国家自然科学青年基金资助项目(50325518)
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文摘
基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)过程中,因为反应速率对温度的依赖程度降低,摩擦产生的机械能除了部分转化为热能等其他形式的能,绝大部分直接转化为化学能,即直接降低了化学反应活化能,从而提高了反应速率;纯化学作用和纯机械作用在整个CMP去除量中所占比重很小,可以忽略不计;不同浓度通过对摩擦力和活化能降低量的影响,从而影响了温度和抛光效果的相关性,活化能降低量与摩擦力基本呈线性关系.
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关键词
摩擦化学反应活化能
层间介质膜
化学机械抛光
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Keywords
friction chemical reaction activation energy
inter-level dielectric film( ILD)
chemical mechanical polishing( CMP)
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分类号
O643.1
[理学—物理化学]
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