金属屏蔽设置对极端电子辐射下滑环绝缘构件深层充电影响因素分析

在太空极端电子辐射环境中,高能电子穿透金属屏蔽会引发滑环绝缘构件的深层充放电现象从而诱发功率传输部件(solar array drive assembly,SADA)的绝缘故障,甚至导致整星的失效。屏蔽外壳的材料、结构及配置方案等会对滑环绝缘构件的深层充电产生直接影响,因此有必要深入研究外壳的屏蔽作用并提升其防护效用,从而降低放电事故的可能性。为此建立三维滑环绝缘构件深层充电模型,得到了滑环绝缘构件电场和电势的三维分布。研究了金属屏蔽材料、屏蔽结构以及双层屏蔽对电子辐照下滑环绝缘构件最大电场的影响。结果表明,相同面密度下高原子序数金属材料比低原子序数金属材料能更好地屏蔽高能电子,但高原子序数金属材料因韧致辐射具有更高的光子透射率,容易对绝缘材料造成损伤;局部加强的屏蔽结构在质量一定的情况下能进一步降低滑环绝缘构件内部的电场畸变,在1 mm铝屏蔽质量的基础上,最大降低程度约25%;采用双层金属屏蔽时,高原子序数的金属材料在滑环绝缘构件内侧更有利于高能电子的屏蔽,其原因在于低原子序数金属材料在最外侧时会先降低高能电子的能量,从而更好利用高原子序数金属材料具有高背散射系数的特点。

减缩时域有限差分法在电磁干扰预测中的应用

对减缩时域有限差分 (R FDTD)法进行了改进 ,采用传统时域有限差分 (FDTD)法计算导体和源网格处的电场 ,其余网格处的电场采用R FDTD法计算 .细导线附近网格上的磁场也采用传统FDTD法计算 ,这样可以消除直接利用R FDTD法计算时长时间迭代后出现的不稳定性 .用这种改进的R FDTD方法分别对一个在导体壁上开有水平和垂直缝隙的矩形屏蔽外壳的电磁干扰进行了预测 ,得到了屏蔽外壳激励源的输出功率曲线和屏蔽外壳的泄漏功率曲线 。

T500辐射骚扰问题及解决方案

电磁辐射骚扰是印制电路板电磁兼容性设计中的一个难点,它不仅影响产品的研发成本,同时也影响产品的上市时间。分析了非屏蔽外壳设计的某终端产品T500在辐射发射测试中存在的问题,并提出了具体的解决方案。

浅谈电磁兼容的危害

电磁兼容是指设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中其他事物构成不能承受的电磁骚扰的能力,重点分析了电力系统电磁兼容的危害以及电磁骚扰在电力系统各个环节中的现象、特点及防护方法。