浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响

提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构,通过改善电场分布,优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上,仅通过增大外延层掺杂浓度,改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度,最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm^(2)、特征栅漏电容为4.72 pF·mm^(-2)的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比,在击穿电压不变的条件下,浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。

屏蔽栅沟槽MOSFET单粒子微剂量效应研究

以屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET为研究对象,研究了重离子诱发的单粒子微剂量效应的现象及物理机理。对不同偏置电压下的30 V SGT MOSFET进行重离子辐照试验,分析了重离子轰击后器件转移特性曲线的变化趋势,揭示单粒子微剂量效应的退化规律。研究发现重离子入射会引起器件的亚阈值电流增大,导致阈值电压负向漂移,且负栅压下器件的亚阈值电压负向漂移更严重。试验结果结合TCAD仿真进一步揭示在栅氧化层侧墙处Si/SiO_(2)界面的带正电的氧化物陷阱电荷是导致器件阈值电压和亚阈值电压等参数退化的主要原因。研究结果可为SGT MOSFET单粒子微剂量效应评估和建模提供指导。

高k介质对屏蔽栅沟槽型MOSFET电场调制的研究

为了优化屏蔽栅沟槽型MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,简称SGT结构)的电场分布,将高k介质代替部分沟槽绝缘介质层,提出了高k屏蔽栅沟槽型MOSFET(高k SGT结构)。分析了高k SGT结构的工作原理,通过在高k介质底部引入新的电场峰值,使电场分布更均匀以提高器件的耐压。Sentaurus TCAD软件仿真结果显示高k SGT结构的击穿电压为114.5 V,与传统SGT结构相比,击穿电压提高了10.7%,Baliga优值(BFOM)提高了15.2%。因此在不增加掩模的基础上,有效提高了器件的击穿电压。

一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型

提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加了屏蔽栅-漏等效电容模型,栅漏电容模型将栅漏偏置电压修改为栅极同栅-漂移区重叠区末端节点的电势差.使用泊松方程求解该节点电势,并引入栅氧厚度因子k1、屏蔽栅氧化层厚度因子k2、等效栅-漂移区重叠长度Lovequ和等效屏蔽栅长LSHequ对栅和屏蔽栅的结构进行等效,以简化泊松方程的计算并确保该节点电势曲线的光滑性.使用Verilog-A编写模型程序,搭建实验平台测试屏蔽栅沟槽MOSFET的直流特性、电容特性和开关特性,模型仿真结果与测试数据有较好的拟合,验证了所建模型的有效性.

屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制

在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。

一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究

为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象。因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的SGT(ST-SGT)器件结构。在相邻的主沟槽间插入子沟槽后,显著降低了器件栅极附近的电场峰值,避免栅氧化层出现过早击穿,同时较浅的子沟槽提升了外延层纵向电场分布的均匀性,改善了高密度深沟槽带来的晶圆翘曲问题。通过使用Sentaurus TCAD仿真软件,调节子沟槽深度和上层外延层电阻率两个重要参数,对ST-SGT进行优化设计。结果表明,当子沟槽深度为2.5μm、上层外延电阻率为0.23Ω·cm时,对应的ST-SGT的品质因数(FOM,Figure of Merit)最大,此时击穿电压为135.8 V,特征导通电阻为41.4 mΩ·mm^(2)。优化后的ST-SGT与传统SGT相比,其FOM提高了19.6%。

格栅型屏蔽体在抑制雷电电磁干扰中的设计运用

格栅型屏蔽体是电磁屏蔽的一种具体方式，其设计运用可按以下步骤进行：（1）根据雷电风险评估报告，确定合理的屏蔽效率SF；（2）屏蔽材料的选择；（3）网孔尺寸计算；（4）安全空间的确定；（5）其它注意事项。

一种沟槽型SGTMOSFET终端结构

为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了135V,有效终端长度仅为18.5μm。此终端结构适用于中低压领域,且在SGTMOSFET元胞工艺步骤的基础上仅增加了一层掩膜,终端结构工艺和元胞工艺兼容,易于实现。

一种提高SGT MOSFET雪崩耐量的方法

提出了一种提高屏蔽栅沟槽型(Shielded-Gate Trench,SGT)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)雪崩耐量的方法。利用Sentaurus计算机辅助设计软件,通过调整屏蔽栅沟槽型MOSFET元胞区接触孔宽度、深度、注入剂量和注入能量,以降低P型体区电阻,抑制寄生三极管的开启,提高器件雪崩耐量。测试结果表明,优化后的器件雪崩耐量相较基准条件由518.2 mJ提升至583.2 mJ,提升约12.6%。

可选择型低值电容标准的研究

在电磁计量和仪器仪表行业中,通常需要高稳定电容标准器装置对仪器设备进行量值检定校准以确保它们测量的准确性。可选择型低值电容就是一种可在同一系统中输出不同稳定微小电容值的标准器。针对该类电容器最大不确定度来源之一,即屏蔽栅通孔的边缘效应,文中采用3-D电场仿真对其进行了深入研究分析,同时依据仿真结果完成了一种可选择型低值电容标准器的整体结构设计,为其实际加工制作奠定了坚实的理论基础。

SGT MOSFET的研究与进展

介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进,对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述;简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展;同时列举了SGT MOSFET的一些最新研究成果和需要解决的问题,以及今后的研究发展重点。

SGT-MOSFET沟槽底部清洗工艺优化

屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,缩写SGT-MOSFET)功率器件是一种基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型的沟槽式功率MOSFET。相比于传统U-MOSFET功率器件,它的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。对于SGTMOSFET功率器件,沟槽底部的形貌对器件性能都有非常重要的影响。当SGT-MOSFET功率器件沟槽底部氧化膜出现空洞时,器件IDSS(漏源短路电流)将增大。SGT-MOSFET功率器件相比传统U-MOSFET功率器件的沟槽深度大大加深了,以往的沟槽清洗干燥工艺,沟槽底部易有水渍残留。水渍会导致底部氧化膜生长异常,产生空洞。调整沟槽清洗干燥工艺,晶圆在清洗干燥过程中,将晶圆脱离去离子水水面的速度降低,即可实现晶圆的充分干燥,摆脱水渍残留。

雷电灾害风险评估中两个参数的简单计算方法

阐述按照GB/T 21714.2-2008/IEC62305-2:2006《雷电防护第2部分:风险管理》进行雷电灾害风险评估中格栅形空间屏蔽或网格状LPS引下线系统的网格宽度、电缆屏蔽层单位长度电阻参数的简单计算方法和思路,并通过具体实例进行说明。

17英寸图像美工专用传统显示器 CTX PR711F

CTX PR711F显示器,是中强所推出的Professional Flat全系列超平面直角显示器产品中的一员,主要是针对图像处理工作所设计的显示器,采用Sony特丽珑全平面栅状屏蔽显像管,具有画面不失真、点距小等特点,同时也因为采用这种类型的显像管,画面会显得亮丽而且生动.同时内置USB集线器,方便使用者直接在桌面上连接各种USB外设.

屏蔽舱室风管管路布置及施工工艺

本文主要针对经过屏蔽舱室的通风管路，论述在设计管路时应充分考虑屏蔽舱室的屏蔽要求，施工时应贯彻电磁兼容原则工艺，使搭接、接地工艺满足规定的质量要求，以保证舰船具有良好的电磁兼容性。

评说应用防雷规范中屏蔽公式的实例

国家标准GB50057-2010(以下简称新版)是建筑物防雷设计规范,其中第6章的6.3讲的是屏蔽,作者从网上、期刊上收集了一些关于设计计算的实例,结合对新版与旧版(2000版)的不同作了一些评说,所谓"评说"也只是管中之见,只待业内人士指正。