恒星内部电荷屏蔽对电子俘获反应的影响

本文分析了在恒星环境下，电荷强屏蔽对原子核电子俘获反应的影响，分析中忽略了电荷屏蔽对核跃迁矩阵元的影响．作为例子，分别讨论了电荷屏蔽对核素33S、30P和57Fe的电子俘获率的影响．结果表明：在较低温度和较高密度下，由于电荷屏蔽，其电子俘获率相对于无屏蔽情形有明显降低，这可能对恒星晚期演化和超新星爆发理论带来明显的影响．

强电荷屏蔽下的电子俘获率

分析了电荷屏蔽对超新星前身星环境下的电子俘获反应的影响,分析中强电荷屏蔽势能采用了最近人们利用线性响应理论给出的结果,对核素56Co,56Fe,56Mn电子俘获率的分析计算表明,在低温高密情形下,电荷屏蔽对电子俘获反应的影响较先前的分析的影响程度略小,但电荷屏蔽对电子俘获反应的影响仍然显著.

电荷屏蔽与超新星前身星阶段电子俘获

利用核的壳层模型 ,讨论了电荷屏蔽对超新星的前身星阶段一些较丰的核在一些重要的温度—密度点的电子俘获率的影响 ,结果表明由于电荷屏蔽的作用其电子丰度变化率下降了 1 0 %～ 2 0 % .

恒星内部电荷屏蔽对β衰变率的影响

针对低能反应和共振跃迁,分析了在恒星内部电荷屏蔽对β衰变率的影响．对共振跃迁的分析是基于核的壳层模型．作为例子,详细计算了电荷屏蔽对56Cr的β衰变的影响．结果表明:在较低温度和高密度下,电荷屏蔽使β衰变率有明显的增加。这对恒星晚期演化和超新星爆发研究可能会有重要的影响。

110kV带电荷发射屏蔽层的XLPE电力电缆的研制

本文在根据聚合物击穿的陷阱理论,阐明了聚合物击穿过程中电荷注入的关键作用之后,在大量的实验室研究工作的基础上,设计和制造了我国第一条110kV带电荷发射屏蔽层的交联聚乙烯(XLPE)电力电缆。型式试验结果表明,这种新型结构的电力电缆具有良好的电气特性和较小的绝缘厚度,完全可以代替普通型电力电缆。其推广和应用将带来巨大的经济效益。

电荷屏蔽与超新星前身星阶段fp壳层核的电子俘获

利用核的壳层模型 ,讨论了电荷屏蔽对超新星的前身星阶段一些较丰的核在一些重要的温度—密度点的电子俘获率的影响 ,结果表明由于电荷屏蔽的作用其电子丰度变化率须乘以一个 0 .8～ 0 .9的因子 .

两种电荷屏蔽能计算方法的比较

对两种计算电荷屏蔽能的方法进行分析比较,结果表明在密度很小的时候,二者差别不大,但是随着密度的增加,二者却出现了一个较大的差异。此结果对于恒星内部的弱相互作用的研究可能会有一定的影响。

两种电荷屏蔽能计算方法的比较

对两种计算电荷屏蔽能的方法进行分析比较,结果表明:在密度很小的时候,二者差别不大,但是随着密度的增加,二者出现了较大的差异.此结果对于恒星内部的弱相互作用的研究可能会有一定的影响.

电荷屏蔽与超新星前身星阶段电子丰度的变化率

The influence of electron screening on electron on electron capture at the presupernova stage for key temperature mass condition is discussed. It is shown that the rate of change of electron fraction evidently decreased with the electron screening taken into account.

电荷发射屏蔽的工作原理及其试验研究

电荷发射屏蔽是超高压塑料电力电缆新结构的发展方向。在对聚乙烯薄膜作短路击穿和交直流叠加击穿试验的基础上,分析电荷注入引起的树枝化通道是聚合物击穿的原因。为了提高聚乙烯的击穿强度,必须防止电荷的注入。根据电极和绝缘的界面理论,解释了电荷注入和发射屏蔽的基本原理。特殊的两种发射屏蔽的试验结果表明,电荷发射屏蔽可成倍地提高聚乙烯的工频击穿电场强度,预压短路击穿和预压反极性击穿的电场强度。文章还分析了串联复合介质击穿电压计算公式的局限性和影响发射屏蔽效能的因素,故对发展我国交直流电缆的新型结构具有实际和理论意义。

恒星环境下电荷屏蔽对基态β衰变的影响

分析了在恒星环境下,电荷强屏蔽对原子核基态间β衰变的影响.分别计算了电荷屏蔽对核素6He,15C,31Si和57Mn的β衰变率的影响程度.结果表明,在较低温度和较高密度下,由于电荷屏蔽,其衰变率相对于无屏蔽时有较大的增加,甚至可以增加一个量级.这对恒星内部的弱相互作用率的精确分析有较大意义.

电荷屏蔽对超新星前身星阶段电子俘获的影响

利用Langanke等人给出的新的弱相互作用理论,分析了在超新星前身星阶段,电荷屏蔽对电子俘获的影响.分析中屏蔽势采用最近Itoh等人用线性响应理论导出的结果.表明在高密情况下电荷屏蔽对电子俘获率的影响是明显的.

电荷屏蔽与磁场中的热核反应(英文)

讨论了强磁场下 ,电荷屏蔽对热核反应的影响 ,结果表明 ,在相对低的密度下 (ρ/ μe～ 10 5mol·cm-3) ,强磁场 (～ 10 13G)使得电荷屏蔽势能增加 ;增加的屏蔽势对CNO循环中氢燃烧阶段14 N的质子俘获反应有明显的意义 ,但对其它热核反应 。

束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响

分析了地球实验室环境下束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响,指出束缚电子的电荷屏蔽会使中微子诱导反应截面减小,在分析处理对原子或离子的电子俘获反应时,应考虑束缚电子的屏蔽效应,但Debey屏蔽近似处理失效,寻求另一个合理的电荷屏蔽表达式是非常重要的.

有关运动超导体电磁性质的几点讨论

在伦敦方程和电磁场的洛伦兹变换的基础上讨论了在磁场中运动的第一类超导平板的电磁性质。结果表明临界磁场将随超导体的速度的增加而减小 ;在穿透层内有一指数衰减的屏蔽电荷分布 ,其符号与超导体表面由运动感生的电荷相反、数量相等。屏蔽电荷屏蔽了表面电荷产生的感应电场 ,使电场和磁场一样在穿透层内指数衰减 ,在远离表面的内部 。

铁电和铁磁微分回线谱分析

利用费米统计公式证明了微分铁电或铁磁回线可分解为一至两个高斯或洛仑兹线型之和 .对TGS ,BaTiO3 单晶 ,和硅钢片 ,锰锌铁氧体的测量证明理论与实验完全符合 .用微分回线代替回线来表征材料性质更具有实用和理论上的意义 .

基于相对论量子亏损理论的类氦离子电离能规律

依据离子能级的相对论量子亏损理论,给出了类氦离子电离能的一种表达式。根据原子序数6至15的类氦离子电离能的实验数据,对其电离能表达式中的量子数亏损及屏蔽电荷数进行了拟合,得到类氦离子电离能与原子序数的关系式,依据该关系式计算的电离能理论值与已有实验值符合得很好。推算了原子序数16至39的类氦离子的电离能,并与其他方法的计算结果进行了对比分析。

铁磁边界环流理论

提出边界环流理论来解释铁磁性，应用微分磁滞回线来研究铁磁性能获得更多有关铁磁物质的微观信息．文中讨论了两种典型线型在宽位垒和窄位垒的微分磁滞回线．

强光照射下的InGaAs二极管内部光生载流子分析(英文)

以InGaAs p-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子-空穴的漂移速度,发现低偏置电压或强光辐照都会使耗尽区的电场强度下降,载流子的漂移和扩散速度降低到非饱和状态,使光生载流子的复合率下降,大量载流子聚集在耗尽区内,形成了空间电荷屏蔽效应,导致二极管呈非线性响应状态.在5V偏置电压条件下,增加皮秒激光的脉冲能量,光电二极管的光伏电压响应脉宽逐渐展宽,峰值电压呈非线性变化.

单行载流子光电探测器中空间电荷屏蔽效应理论分析和实验研究

本文优化设计和外延生长了一种单行载流子(UTC)光电探测器有源区结构,并且采用微电子工艺制备了台面尺寸为30μm的UTC光电探测器.同时,采用了漂移-扩散模型对该有源区结构进行了理论模拟,从载流子浓度和空间电场角度重点分析研究了空间电荷屏蔽效应对UTC光电探测器直流饱和特性影响的物理机理.UTC光电探测器理论模拟结果与实测数据基本相符.