炭/炭复合材料石墨化度的XRD均峰位法测定

采用XRD平均峰位法测定了 4种C/C复合材料的石墨化度。研究结果表明 :用平均峰位法测定C/C复合材料的石墨化度具有简便可靠、区分度高的优点。当C/C复合材料中炭纤维的含量低于基体炭含量时 ,难石墨化的炭纤维对C/C复合材料XRD谱线低角度一侧的线形有一定影响 ,但对最终的测量结果影响不大。

多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射

对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理，观察到光致发光峰位波长为３７０ｎｍ左右的紫外光发射．紫外光强度与高温氧化温度有关，当氧化温度为１０００℃时，多孔硅紫外光发射最强，而在１１５０℃温度下氧化５ｍｉｎ，多孔硅纳米硅粒消失后，紫外发射变得很弱．紫外光峰位与氧化温度无关，但在１０００℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干３６０ｎｍ的发光峰．如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中，而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯｘ层中的两种（或多种）发光中心上，则本文的实验能被很好解释．

因子分析-电感耦合等离子体原子发射光谱分析中的峰位优化及光谱干扰校正

将目标因子分析用于电感耦合等离子体原子发射光谱分析（ＩＣＰ－ＡＥＳ）对高纯氧化铥中稀土杂质的测定及光谱重叠干扰校正．数据矩阵由纯光谱矢量、混合物光谱矢量及模型背景矢量构成．提出利用各目标矢量的真误差的平方和为评价函数优化扫描光谱峰位。

核脉冲微分峰位检测电路的研究

高性能峰位检测电路是峰值保持器的关键。从电路传递函数出发,分析了准高斯核脉冲经CR微分电路后波形表达式和幅度变化,讨论了核脉冲峰位与微分过零点的关系,并用MATLAB软件进行了数值计算。结果表明,无源CR微分电路不能准确地测出核脉冲峰位,电路灵敏度低、通频带窄;有源CR微分峰位检测电路可以准确地测出核脉冲的峰位,灵敏度高、通频带宽。最后介绍了基于有源CR微分峰位检测电路煤矸石能谱仪峰值保持器的设计。

抑制BGO探测器γ能谱峰位漂移的实验研究

对调节光电倍增管的高压和主放大器放大倍数来抑制BGO探测器γ能谱因温度改变而引起的峰位飘移进行了实验研究.用137Cs和60Co做放射源,研究了当主放大器放大倍数一定时,γ能谱峰位和半宽度随高压值的变化关系;当高压值一定时,峰位和半宽度随放大倍数的变化关系;当放大倍数和高压值一定时,γ能谱峰位和半宽度随温度的变化关系.结果表明:改变光电倍增管的高压和主放大器的倍数都会使峰位值和半宽度发生改变;调节主放大器的高压和主放大器的倍数可以补偿峰位值和半宽度.

右旋糖酐铁注射液峰位相对分子质量和重均相对分子质量的HPGPC测定

目的:比较右旋糖酐铁注射液峰位相对分子质量(M_p)和重均相对分子质量(M_w)的测定在质控中的应用。方法:采用凝胶液相色谱法,示差检测器。用 TSKG4000PW(300 mm×7.5 mm)凝胶柱测定右旋糖酐铁的 M_p,流动相是0.1%叠氮钠溶液,流速1.0 mL·min^(-1);用 TSKG3000PW(300 mm×7.5 mm)凝胶柱测定右旋糖酐的 M_w,流动相为0.71%硫酸钠溶液,流速0.5 mL·min^(-1)。采用 GPC 软件计算。结果:进口右旋糖酐铁注射液的 M_p 和 M_w 均符合标准要求,而国产右旋糖酐铁注射液除1个产品的 M_w 符合要求外,其余产品的 M_p 和 M_w 均不符合要求。结论:右旋糖酐铁络合物的 M_p 用于质量控制似乎更合理些。

用峰位移动法识别地下水平近距金属多管线分布

通过对电磁感应式地下金属管线探测仪（简称探测仪）发射机机械结构的改进，本文提出了一种提高这类探测仪水平分辨能力的新方法，并用天线理论分析了这种方法的可行性。理论分析和实际探测表明，文中给出的方法对于提高探测仪水平分辨能力十分有效。

Levenberg-Marquardt算法在应力测量中子衍射峰位中的应用

为满足中国先进研究堆(CARR)中子残余应力谱仪准确、快速数据处理的需求,将Levenberg-Marquardt(LM)算法应用于应力测量中子衍射峰位。本文详细描述了用于峰形拟合的目标函数,基于LM算法的衍射峰位计算流程以及相应Labview程序的实现,并利用该程序拟合一系列衍射峰。结果表明,该程序能准确、快速地计算衍射峰位,可用于高精度大批量的中子残余应力谱仪数据处理。

温度引起的放射性气溶胶连续监测仪峰位漂移修正技术

本工作研究放射性气溶胶连续监测仪中由半导体探测器的温度特性引起的α谱的峰位漂移对测量结果的影响,并采用温度跟踪方法和计算机软件处理技术消除这一问题。修正采取了2种方法：第1种是对峰位进行温度修正,得到修正过的各道计数；第2种是采用跟踪天然放射性核素^(214)Po峰位的漂移,再根据被测人工放射性核素能量与^(214)Po能量的相对值来进行修正。

平面型HPGe探测器影响γ谱峰峰位的各种效应研究

用１９２Ｉｒ、８５Ｓｒ和１３７Ｃｓ等放射源在ｅＶ水平上研究平面型ＨＰＧｅ探测器影响γ谱峰峰位的各种效应，包括收集电场效应，放射源位置效应，射线加合和堆积效应等，讨论了这些效应的修正问题。利用单γ峰和加合峰峰位差异推测了探测器本身的非线性偏离曲线。

一种提取重叠信号峰位置的新方法

提出了一种用于提取重叠信号中峰位置的新方法—小波分形峰位法 ,对重叠信号峰位置的提取进行了研究。结果表明 :该法是提取含噪重叠信号中峰位置的有效工具 ,方法简便易行。

有源微分脉冲峰位检测电路的设计

根据实际运算放大器开环增益特性,从理论上推导了改进型有源微分电路的幅频数学式,介绍了脉冲峰位检测电路的设计方法。用LM118芯片设计了一种快脉冲峰位检测电路,用MATLAB进行数值分析,结果与理论很好吻合。

中药材的近红外漫反射光谱峰位鉴别法

中药品种繁多,应用历史悠久,产区广泛。传统的经验鉴别主要根据药材的外观性状直接利用感官达到鉴别的目的,虽然直观、简便,但其不足之处是不同基原的药材偶然性的貌似而实异,或近缘品种外形大同小异,此时直观观察难以下结论。要解决这些问题应借助现代科学鉴定手段,即合理的植物分类学方法、显微鉴定方法与理化鉴定方法,将经验的与现代的方法相结合,建立简便、快速、直观的方法,才能保证中药材质量、用药安全有效。

X射线衍射测试样品位置对谱线峰位和强度的影响

鉴于X’Pert Pro MRD多晶X射线衍射仪的样品台5维可移动,研究了样品的位置对物相测试中谱线峰强度和峰位的影响.结果表明,样品表面低于或者高于光路中心,都会造成谱图峰位的偏移,对峰强度影响不明显.当样品表面低于光路中心位置时,峰位呈减小趋势.当样品表面高于光路中心位置时,峰位呈增加趋势.当水平位置放置了不同厚度的样品进行批处理测试时,谱线的峰强度会受到最厚的样品的影响,峰位的变化不明显.

采用对称零面积法的高统计涨落谱线峰位解析研究

峰位分析的准确性是能谱稳谱质量的基础。为了提高峰位计算准确性和稳谱质量,针对航空γ能谱谱线高噪声特征,研究应用了采用柯西函数对称零面积法分析峰位,并且对比常用的高斯函数拟合法、峰面积法寻峰效果。结果表明针对高噪声的谱线寻峰,采用柯西函数的对称零面积法峰位计算方法,分析峰位更准确。

峰位跟踪法提高闪烁探测器测量稳定性的研究

在闪烁探测器应用过程中,环境的温度的变化将影响闪烁探测器测量过程的稳定性,本文通过硬件补偿的形式,采用峰位跟踪和控制脉冲电压阈值相结合进行设计,并对此方法的测量原理及实现方案进行分析,本文的设计方法已在产品的设计中得到应用,取得了预期效果。

脉冲中子氧活化测井图谱的峰位识别方法与应用

在油田注水开发过程中,放射性示踪吸水剖面测井影响因素较多,如载体比重过大,地层由于长年注水冲刷形成大孔道以及沾污等,使所测资料存在局限性。而中子氧活化测井基本不受这些因素的影响,探测深度也较深,可以测量油管外水溶液不同方向的流动速度等优点,因此在复杂地层,注聚合物井以及管柱井中,应用面越来越广。但是随着井况的多样性,资料的处理和解释,也面临着许多难度。对脉冲中子氧活化测井得到的图谱进行了分析,对资料解释时的峰位识别技巧提出了经验性的方法,尤其对图谱峰位值的手工选取,提高了解释精度,减少了机器读值的误差,给出合理的解释结果,对资料解释的应用提出了可操作性建议,对脉冲中子氧活化测井资料的解释具有指导作用。

峰位微扰动修正在构建高斯响应矩阵中的应用研究

现有的高斯响应矩阵在对高分辨率γ能谱进行重建时,极易出现假峰、峰位漂移等问题。本文针对测量条件(温/湿度、电压波动等)微弱变化引起峰位扰动进而影响高斯响应矩阵重建结果准确度的问题,通过引入微扰动修正因子,对现有高斯响应矩阵进行修正。采用IAEA重峰分解测试谱及GMX40P高纯锗探测器实测能谱对修正前后的高斯响应矩阵进行谱线解析测试。结果表明:通过修正后响应矩阵重建的能谱,其峰位与实际峰位保持一致,净峰面积的相对偏差分别低于10.25%和5.50%。

影响红外光谱峰位变化的因素之一——氢键形成的新因素

本文从N—二茂铁酰胺酸,杂氮硅三环化合物和邻位取代的苯甲酸类物质的红外光谱的变化,提出精细结构、空间位阻、湿度和状态等是影响氢键形成的新因素。