反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究

基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降。介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数。实验结果表明:直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压降为8.0V。并且,反向开关晶体管通态峰值压降随换流峰值的增大而增大;改变分压电阻比值对测量结果无明显影响。

晶闸管峰值压降瞬态波形测量装置

介绍用单片机组成晶闸管峰值压降测量仪。利用该仪器不仅可以准确、稳定地读取峰值压降(UTM)、峰值电流(ITM),而且还能清楚地观测到峰值压降的瞬态波形。

大功率半导体开关RSD触发导通特性的实验研究

大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和250ns四种触发脉宽下RSD峰值导通压降随触发电荷量的变化曲线,分析了250ns触发脉宽下RSD导通不充分的原因,实验结果表明临界触发电荷量计算公式中比例系数随触发脉宽增加而增大。

10A～2kA智能化浪涌电流测试仪

介绍了整流二极管智能化浪涌电流测试仪的技术指标和工作原理,以及依照中国整流二极管浪涌电流测试的国家标准,并为适应国外厂商对该指标的特殊要求,由单片机及D/A和A/D转换器组成智能化控制系统。介绍了两种浪涌电流波形的产生、波形的个数、浪涌电流值的设置,并对被测整流二极管经浪涌电流测试后的实际电流波形和电流值等技术参数进行设计、检测和数据处理,在仪器面板上以数字显示出实际浪涌电流值,最后提供了测试方法及误差分析。实践证明,它是一种测量整流二极管有关技术参数的经济实用的新一代专用测试仪器,已获得实际应用。

5000A浪涌电流测试仪

介绍了５０００Ａ浪涌电流测试仪的技术指标、工作原理和测试方法。分析和实践证明，它是一种测量整流二极管有关技术参数的经济实用的测量仪器，已获得实际应用。

应用电子辐照技术试制硅塑封快速二极管及性能研究

介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间trr和正向峰值压降VFM的影响,用高分辨率深能级瞬态仪(DLTS)测定和研究了引入缺陷能级的性质。应用研究结果表明,辐照快速二极管体内引入的缺陷能级是导致其电参数trr和VFM变化的直接原因,该技术可成功取代传统的掺金工艺,并具有τ控制精确,trr和VFM一致性好、重复性好、合格率高、工艺简便的优点,是一项具有发展前途的工艺技术。