期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
12Gbit/s用于光纤传输系统的0.5μm SiGe HBT限幅放大器 被引量:3
1
作者 徐跃 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第7期93-95,共3页
文章介绍了一种用IBM公司0.5μmSiGeBiCMOSHBT工艺设计的12Gbit/s用于光纤传输系统的限幅放大器。整个系统包括一个输入缓冲级、三个放大单元、一个用于驱动50传输线的输出缓冲级和一个失调电压补偿回路。采用3.3V单电源供电,功耗只有15... 文章介绍了一种用IBM公司0.5μmSiGeBiCMOSHBT工艺设计的12Gbit/s用于光纤传输系统的限幅放大器。整个系统包括一个输入缓冲级、三个放大单元、一个用于驱动50传输线的输出缓冲级和一个失调电压补偿回路。采用3.3V单电源供电,功耗只有150mW,小信号增益大于35dB,在40dB的输入动态范围内输出电压幅值可以保持800mVpp恒定。 展开更多
关键词 光接收机 限幅放大器 SiGe BICMOS HBT工艺 电感峰化技术
下载PDF
前均衡CMOS光电集成接收机概念的提出和模拟
2
作者 余长亮 毛陆虹 +4 位作者 朱浩波 宋瑞良 陈铭义 王倩 王蕊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期951-957,共7页
提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法——前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μmCMOS光电集成接收机.其中... 提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法——前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μmCMOS光电集成接收机.其中,光电探测器选用面积为40μm×40μm的叉指型双光电二极管结构,实验测得该二极管的频率响应带宽为1.1GHz,结电容为0.95pF.对接收机的模拟结果表明:采用三次阶梯网络峰化技术的前均衡方案可有效提高光接收机的灵敏度和速度,并可实现灵敏度为-14dBm,3dB带宽为2GHz,BER为10-12的0.35μmCMOS光电集成接收机. 展开更多
关键词 前均衡 CMOS 光电集成接收机 峰化技术
下载PDF
无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器
3
作者 赵彦晓 张万荣 +4 位作者 谢红云 金冬月 丁春宝 郭振杰 高栋 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期690-695,共6页
设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出... 设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21】16 dB,NF【3.5 dB,S11【-10 dB,S22【-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义. 展开更多
关键词 SIGE HBT 有源电感峰化技术 噪声抵消支路 宽带低噪声放大器 射频前端
下载PDF
一种0.5~9.2 GHz超宽带低噪声放大器设计 被引量:1
4
作者 杨华光 徐燕萍 +2 位作者 胡斯哲 周继东 岳宏卫 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第3期393-398,405,共7页
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于10 GHz以下无线通信频段的两级超宽带低噪声放大器(LNA)。第一级在互补共源级的基础上通过引入电阻反馈、电感峰化技术和伪电阻结构,在拓展带宽和提高增益的同时降低了噪声。第二级在共源放大的... 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于10 GHz以下无线通信频段的两级超宽带低噪声放大器(LNA)。第一级在互补共源级的基础上通过引入电阻反馈、电感峰化技术和伪电阻结构,在拓展带宽和提高增益的同时降低了噪声。第二级在共源放大的基础上通过电感峰化技术、增益辅助级和缓冲级的使用,提高了电路的增益并改善了输出宽带匹配特性。仿真结果表明,在0.5~9.2 GHz频率范围内,电路增益为14.2±0.2 dB,噪声系数(NF)小于3.97 dB,整体功耗为12.9 mW。 展开更多
关键词 超宽带 电阻反馈 电感峰化技术 伪电阻
下载PDF
5Gb/s 0.25μm CMOS Limiting Amplifier
5
作者 胡艳 王志功 +1 位作者 冯军 熊明珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1250-1254,共5页
A limiting amplifier (LA) IC implemented in TSMC standard 0.25μm CMOS technology is described.Active inductor loads and direct-coupled technology are employed to increase the gain,broaden the bandwidth,reduce the pow... A limiting amplifier (LA) IC implemented in TSMC standard 0.25μm CMOS technology is described.Active inductor loads and direct-coupled technology are employed to increase the gain,broaden the bandwidth,reduce the power dissipation,and keep a tolerable noise performance.Under a 3.3V supply voltage,the LA core achieves a gain of 50-dB with a power consumption below 40mW.The measured input sensitivity of the amplifier is better than 5m V _ pp .It can operate at bit rates up to 7Gb/s with an rms jitter of 0.03 UI or less.The chip area is only 0.70mm×0.70mm.According to the measurement results,this IC is expected to work at the standard bit rate levels of 2.5,3.125,and 5Gb/s. 展开更多
关键词 limiting amplifier active inductor shunt peaking technique CMOS
下载PDF
10 Gbps VCSEL激光器驱动CMOS集成电路 被引量:1
6
作者 赵聪 郭迪 +2 位作者 潘彦君 龚达涛 孙向明 《电子设计工程》 2019年第13期109-113,共5页
本设计采用国内GSMC130nmSOICMOS工艺设计了一款10Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8bitDAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130nm工艺下实现10Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现... 本设计采用国内GSMC130nmSOICMOS工艺设计了一款10Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8bitDAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130nm工艺下实现10Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现带宽拓展,同时兼顾了面积与功耗的考量。该芯片整体面积为2.16mm×1.24mm,采用1.2V电源供电,后仿真结果表明,在典型输入差分200mV、10Gbps的激励信号下,可提供2~8.6mA范围可调调制电流和1~3mA范围可调偏置电流。在典型配置下,输出5mA调制电流和2mA偏置电流,总功耗为51.2mW,输出眼图张开且清晰。性能指标可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。 展开更多
关键词 光纤通信系统 激光器驱动 电感峰化技术 限幅放大级 输出驱动级
下载PDF
CMOS宽带放大器的设计
7
作者 陈珂 《江苏电器》 2007年第B12期8-10,18,共4页
利用中芯国际(SMIC)0.18μm CMOS工艺设计了应用于高速率光接收机的前置放大器。该放大器采用了RGC放大器的电路拓扑结构,应用了优化的片上螺旋电感,通过并联峰化技术实现了带宽放大。仿真结果表明跨阻放大器的跨阻增益为52.8dB·Ω... 利用中芯国际(SMIC)0.18μm CMOS工艺设计了应用于高速率光接收机的前置放大器。该放大器采用了RGC放大器的电路拓扑结构,应用了优化的片上螺旋电感,通过并联峰化技术实现了带宽放大。仿真结果表明跨阻放大器的跨阻增益为52.8dB·Ω,-3dB带宽为8.6GHz,1.8V单电源供电功耗小于37mW。 展开更多
关键词 CMOS工艺 前置放大器 并联峰化技术 片上螺旋电感
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部