室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的 双势垒共振隧穿二极管(英文)

在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管.在GaAs层中加入In0.1Ga0.9As层用以降低势垒两边的势阱深度,从而提高了器件的峰谷电流比和峰电流密度.为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀性,使用了独特形状的集电极,总的电流密度也因此提高.薄栅也有助于提高器件的PVCR和峰电流密度.在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2.

杂质在铜电解精炼中的电化学行为

采用稳态法与循环伏安法研究电解液中杂质砷、锑、铋、铁、镍、锌等离子在铜电解精炼中的电化学行为。结果表明 ,电解液中的砷、锑、铋、铁、镍、锌等离子能降低阴极铜沉积反应的交换电流密度、极限电流密度、伏安峰电流密度 ,使峰电势负移 ,对阴极铜沉积反应起极化作用 ,但杂质离子几乎不影响铜沉积反应的电荷传递系数 。

高含量氮掺杂碳纳米管的合成及NO电氧化

为研制NO检测灵敏度高的电极修饰材料,以吡啶和尿素为碳源和氮源,以Fe-MgO为催化剂,在NH3下于800～900℃采用CVD法原位合成了氮掺杂碳纳米管(CNx-NTs),确定了氮的原子分数为7.05CNx-NTs的最佳合成条件.通过对透射电镜(TEM)、x-射线光电子能谱(XPS)、x-射线衍射分析仪(XRD)和Raman光谱进行研究,结果表明所合成的CNx-NTs随着反应温度的降低有序度减小,管壁缺陷增加.循环伏安法研究的NO在碳纳米管修饰电极上的电氧化行为结果表明:NO在CNx-NTs修饰电极上的电氧化活性均高于未掺杂氮的多壁碳纳米管(MWCNTs),其中,氮原子分数为7.05的CNx-NTs修饰电极的电氧化峰电位最小,峰电流密度最大,反应活性较大.该电极上NO检测的灵敏度最高,是一种比较理想的电极修饰材料.

有碳涂层存在下的金氰化电化学研究

H．Tan等采用动电位法研究了具有黏土和不同碳涂层的金的阳极和阴极行为，结合阳极与阴极偏振曲线考察了整个溶解反应。黏土涂层既不会影响阳极曲线形状，不影响金的氧化峰的位置，也不会改变阴极氧化还原曲线的状态。有黏土涂层时，峰电流密度稍有降低，这种趋势随着涂层厚度的增加而变得更明显。绝缘黏土层只起阻碍试剂扩散到金表面的作用，不与金相互作用。不同的碳涂层，如Stawell金矿石中的天然舍碳物质，活性炭及石墨，都会影响阳极金的氧化，例如使静电位向更阳极方向移动，缩小第1个峰的区域（一个更大的阴极过电压区），转移电流峰到更阳极的位置，在超过0．7V的高过电压下高的电流密度。碳涂层改变了氧化还原的波形。有碳涂层存在时，氧化还原的电流密度低于阴极电位，而在高的阴极电位下则变得更高，氧化还原的电流密度随着碳涂层厚度的增加而增大。碳涂层的存在，不改变金氧化或氧化还原反应的控制机理。

基于共振隧穿理论的GaAs基RTD的设计与研制

以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制备,X射线双晶衍射(XRD)分析表明,制备的异质结界面光滑、层厚准确。RTD采用台面结构,器件特性测试结果表明,峰值电流密度为112 kA/cm2时,电流峰-谷比达到8.25。

几种商业催化剂电氧化二甲醚的催化性能研究

通过循环伏安法研究了三种商业催化剂——40%Pt/C,20%Pt-10%Ru/C(JohnsonMatthey)和20%PtRu/C,Pt:Ru=1:1(E-TEK)在酸性介质中对二甲醚电氧化的催化性能,比较了不同商业催化剂的催化活性.实验发现,在Pt担栽量为0.1 mg/cm^2和25℃时,JM-两种催化剂的催化活性都高于E-TEK的,且JM-PtRu/(二元催化剂对二甲醚电氧化的活性又比JM-Pt/C高.这一结果表明了Ru的加入能一定程度上提高催化剂的活性和抗中毒能力.当温度由25℃升高到70℃,JM-PtRu/C对二甲醚电氧化的起始氧化和氧化峰电位分别负移160 mV和200 mV、氧化峰电流密度提高了0.63倍;而JM-Pt/C的分别仅负移80 mV和96mV、氧化峰电流密度却提高了2.77倍.这表明了Ru的加入提高了催化剂的抗中毒能力、催化活性和以二甲醚为燃料的电池输出电压.同时升高温度使得Pt对CO的吸附能力下降,可提高其电池的输出电流.进一步实验还表明了二甲醚的吸附是一个弱吸附,其吸附步骤是氧化的限制过程,而且Ru的加入一定程度上也抑制了二甲醚的吸附,即Pt和Ru的比应有一个优化值.实验还发现了这三种催化剂在50℃下电催化氧化二甲醚后,电极的电化学表面积均有增大的现象.本文的研究结果将为进一步探索新的直接二甲醚燃料电池阳极催化剂提供了一定的指导意义和基础数据.