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半导体单量子点增益与吸收特性的研究
1
作者
赵顺才
刘正东(指导)
廖庆洪
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期276-281,共6页
采用密度矩阵的方法进行数值模拟计算紧束缚态的半导体单量子点的增益与吸收行为。其动力学数值结果显示,在某些不同时刻的增益谷和吸收峰的左右分布保持不变对称性,且有上下镜像反转的现象发生;在在长时间演化中发现该量子点系统的增...
采用密度矩阵的方法进行数值模拟计算紧束缚态的半导体单量子点的增益与吸收行为。其动力学数值结果显示,在某些不同时刻的增益谷和吸收峰的左右分布保持不变对称性,且有上下镜像反转的现象发生;在在长时间演化中发现该量子点系统的增益与吸收发生激烈的振荡而呈现出了量子光学中典型的崩塌与复苏的有趣物理现象。
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关键词
量子光学
半导体量子点
增益与吸收
崩塌与复苏现象
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职称材料
题名
半导体单量子点增益与吸收特性的研究
1
作者
赵顺才
刘正东(指导)
廖庆洪
机构
南昌大学近代物理研究所
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期276-281,共6页
基金
国家自然科学基金(60768001和10464002)
文摘
采用密度矩阵的方法进行数值模拟计算紧束缚态的半导体单量子点的增益与吸收行为。其动力学数值结果显示,在某些不同时刻的增益谷和吸收峰的左右分布保持不变对称性,且有上下镜像反转的现象发生;在在长时间演化中发现该量子点系统的增益与吸收发生激烈的振荡而呈现出了量子光学中典型的崩塌与复苏的有趣物理现象。
关键词
量子光学
半导体量子点
增益与吸收
崩塌与复苏现象
Keywords
quantum optics
semiconductor quantum dot
absorption and gain
collapse-revival phenomena
分类号
O431.2 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体单量子点增益与吸收特性的研究
赵顺才
刘正东(指导)
廖庆洪
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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