四级隔爆电机端盖及内盖铜套嵌入工艺研究

根据四级隔爆电机端盖及轴承内盖嵌铜套的结构特点,按铜套与端盖或轴承内盖配合间隙的大小,研究了在满足设计图纸要求及产品性能的前提下,应结合工厂的实际情况选择合适的铜套嵌入工艺。同时介绍了三种铜套嵌入的工艺方法:第一种为热装法;第二种为液氮冷却法;第三种为打顶丝配合法。

曲率挠率的估计算法及其工艺嵌入

几何处理和计算机视觉的很多应用依赖于几何性质,尤其是曲线的曲率和挠率。论文对非参数化的曲线提出了曲率和挠率的离散估计公式,以及消除噪音干扰的加权因子算法。还通过Maple程序,筛选统计出常见曲线的部分曲率和挠率参考值,提出理想曲率的大致范围和理想挠率的大致范围,并考虑嵌入到特定的工艺品中实验。

用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)

介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷率,高性价比的氧化铝蛐硝酸铁浆料。从而在价格竞争激烈的半导体制造领域,特别是代工市场引起了业界越来越多的关注。

低k介质与铜互连集成工艺

阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。依照工艺流程,介绍了如何具体实现IC制造多层互连工艺:嵌入式工艺、低k介质与平坦化、铜电镀工艺与平坦化;阐述了工艺应用现况与存在的难题,给出了国际上较先进的解决方法。

3D封装及其最新研究进展

介绍了3D封装的主要形式和分类。将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析。围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等,重点阐述了3D互连工艺的最新研究成果。结合行业背景和国内外专家学者的研究,指出3D封装主要面临的是散热和工艺兼容性等问题,提出应尽快形成统一的行业标准和系统的评价检测体系,同时指出对穿透硅通孔(TSV)互连工艺的研究是未来研究工作的重点和热点。

VLSI芯片制备中的多层互连新技术

在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括“Cu线+低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、“Cu+双大马士革+低k”技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施。

Novel LDNMOS embedded SCR with strong ESD robustness based on 0.5 μm 18 V CDMOS technology

A novel LDNMOS embedded silicon controlled rectifier(SCR) was proposed to enhance ESD robustness of high-voltage(HV) LDNMOS based on a 0.5 μm 18 V CDMOS process. A two-dimensional(2D) device simulation and a transmission line pulse(TLP) testing were used to analyze the working mechanism and ESD performance of the novel device. Compared with the traditional GG-LDNMOS, the secondary breakdown current(It2) of the proposed device can successfully increase from 1.146 A to 3.169 A with a total width of 50 μm, and ESD current discharge efficiency is improved from 0.459 m A/μm2 to 1.884 m A/μm2. Moreover, due to their different turn-on resistances(Ron), the device with smaller channel length(L) owns a stronger ESD robustness per unit area.

基于自适应算法的线缆编织工艺设计

作为屏蔽功能单元或机械保护单元的金属丝编织已广泛应用于各类线缆。离散算法在计算效率和灵活性方面难以满足编织工艺的动态需求变化,为此提出了具备自适应、自诊断、自修正运算机制的自适应算法。将自适应算法与编织工艺的工艺设计、计划排程、品质管理等业务模块有机结合,可提高编织工艺的柔性设计能力和数字化、智能化程度。