研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/75...研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6%。同时,该S3+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求。展开更多
文摘研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6%。同时,该S3+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求。
