华虹半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术解决方案支持MCU

2016年上半年，华虹半导体有限公司微控制器（MCU）芯片出货量达12亿颗，较2015年同期增长50％，创历史新高。凭借其全面的嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术解决方案及支持包括汽车级闪存在内的8位至32位MCU产品。

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器

飞利浦电子公司（Philips）日前宣布其0．18微米CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其先进的0．14微米嵌入式闪存／EEPROM已开始量产。

华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域保持领先

华虹宏力的0．13微米嵌入式自对准分栅闪存技术（含标准版和微缩版），在器件结构、器件工艺、电路设计等方面均有创新，达到国际先进、国内领先水平。IP闪存面积小，设计优化，可保证100K的可擦写次数，数据保持可达100年，达到国际汽车电子AEC—Q100标准，产品良率超过95％。尤其是0．13微米微缩版嵌入式闪存技术存储单元面积只有0．197平方微米，为业界0．13微米技术节点的最小闪存存储单元尺寸。

中星微电子投产采用Kilopass嵌入式非易失性存储器技术的PC-CAM处理器

半导体逻辑非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）供应商Kilopass科技公司，和致力于设计先进混合信号多媒体产品和解决方案的多媒体半导体和解决方案领先提供商中星微电子公司联合宣布，中星微电子将在一系列笔记本PC摄像头处理器中采用Kilopass公司的非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）。Kilopass公司的非易失性存储器可让开发者获得灵活的升级途径，同时支持中星微电子的高性能要求。

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器产品

2006年3月15日，皇家飞利浦电子公司宣布其0．18μm CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其先进的0．14μm嵌入式闪存／EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。

嵌入式非挥发性存储器NVM技术的发展趋势

阐述嵌入式NVM的发展趋势,对现有的和新兴的嵌入式NVM器件进行比较,从存储单元、工艺兼容和设计复用的角度提出真嵌入式NVM方法。探讨嵌入式NVM的新应用,应用驱动的性能强化需求,分析一个实际案例,包括嵌入式NVM的功耗、性能、可靠性优化。

华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势，巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC）

多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析

基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10^(4)次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。

浅述嵌入式FRAM存储器的MCU

铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式．市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，Ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8KBFRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。

28nmFD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世

三星晶圆代工业务（SamsungFoundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magneticRAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥发性存储器（eNVM）选项。

一次性可编程存储器的数据保持特性建模及分析

基于300 mm 0.18μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OTP器件的保持特性进行建模。通过225℃、250℃和275℃条件下的高温老化加速实验,拟合样品最大数据保持时间曲线。在生产过程中可能出现的最差产品条件下,对1/(kT)与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算在不同失效条件下的浮栅电荷泄漏的激活能和最大数据保持时间。

安森美半导体180nm工艺技术嵌入Sidense的1T-OTP存储器

领先的逻辑非易失性存储器（LNVM）一次性可编程（OTP）存储器知识产权（IP）内核开发商Sidense与应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商（ON Semiconductor）宣布，Sidence已将其180 nm OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体的180nm数字及混合信号技术平台ONC18。

嵌入式系统的存储技术

闪存在众多消费类电子产品中得以广泛应用。虽然许多应用中的分立闪存芯片能够提供256 Mb 甚至更高的存储能力,然而在低密度应用中,将闪存与嵌入式处理器、外围器件和其他存储器一起集成到主逻辑芯片则更具优势。

嵌入式单片机应用系统的数据记录与分析

嵌入式单片机系统通常由ROM程序存储器、RAM数据存储器以及其他外围电路等组成 ,上电后启动工作 ,断电后停止工作 ,数据丢失。但在有些场合 ,在系统偶然或人为断电后 ,希望对系统的工作情况和实时处理的数据进行保存 ,用于事后分析。本文叙述了在嵌入式应用系统中利用RAMTRON公司的非易失性存储器FM180 8进行数据记录的设计思路 ,并给出了记录数据提取和分析的基本方案。

Jffs2文件系统在嵌入式Linux下的应用

Flash作为新型非易失性半导体存储器在嵌入式系统的开发中占有重要的地位.介绍了Flash芯片的特点及基于Linux下的Flash文件系统,论述了专门为Flash芯片设计的日志型闪存文件系统——Jffs2的设计原理及特点;讨论了利用Linux提供的MTD接口将Jffs2移植到Flash芯片上的具体过程,并对其在Linux 下的应用给出了具体实例.