基于SoC的嵌入式DRAM存储器内建自测试设计

内建自测试(Built-in Self Test,BIST)是测试片上系统(System-on-Chip,SoC)中嵌入式存储器的重要技术;但是,利用BIST技术采用多种算法对嵌入式存储器进行测试仍面临诸多挑战;对此,提出了一种基于SoC的可以带有多种测试算法的嵌入式DRAM存储器BIST设计,所设计的测试电路可以复用状态机的状态,利用循环移位寄存器(Cyclic Shift Register,CSR)产生操作命令,利用地址产生电路产生所需地址;通过对3种BIST电路支持的算法,全速测试,面积开销3个方面的比较,表明提出的嵌入式DRAM存储器BIST设计在测试时间,测试故障覆盖率和测试面积开销等各方面都取得了较好的性能。

嵌入式DRAM的BIST测试方法的研究

通过对比分析了嵌入式DRAM的传统测试方法和内建自测试 (BIST)方法 ,提出了嵌入式DRAM的内建自测试 (BIST)方案 ,该方案具有测试生成快 ,节约测试成本等优点 ,对其它类型电路的测试也有很好的借鉴价值。

SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)

描述了n 沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性 ,该器件制造采用了低功耗CMOSSOC工艺 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性能优于本体接地 (GB)和本体浮地 (FB)的MOSFET器件 .本器件具有无特性曲线缠绕、gm=93 6μS/ μm ,gout=3 6μS/ μm ,Ion/Ioff=2 10 μA/ 0 .1pA ,在Vdd=1V时fmax=3 2GHz的良好特性 ,特别适用于低电压嵌入式基频电路并具有对射频RF前端电路的极佳性能 ,因此可以使嵌入式DRAM、数字电路、模拟电路和RF射频电路混合于一体 ,用在超低功耗、低成本的SOC(系统集成 )

基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)

描述了用以进行n 沟道动态电位DTMOS半导体器件源极 /漏极载流子注入优化设计的实验结果 ,该器件制造采用了低成本 0 .15微米SOI和SOC(system on chip ,系统集成芯片 )技术 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .实验结果表明 ,本器件可用来作为嵌入式超低压模拟电路和射频前端电路的混合电路芯片 ,并与嵌入式DRAM核心技术一起 ,作为超低压、低成本SOC(系统集成芯片 )

嵌入式DRAM市场将增长快速

据市场分析公司In-Stat／MDR的报告，虽然专用标准产品(ASSP)的应用不断增长，使嵌入式DRAM(embedded DRAM，eDRAM)的增长受到一定限制，但对于高性能基础设施应用，采用eDRAM仍是一种比较理想的方案。In-Stat／MDR公司认为，2008年全球eDRAM市场的销售额将从2003年的约1．25亿美元增长到2．55亿美元。

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片

由IBM一手打造32nm SOI嵌入式eDRAM存储芯片原型样品已经出炉了，这款产品自诞生之日起，就被IBM冠以了多个名号全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备。说到体积小，相比于芯片缓存中通常使用的SRAM，这个“小家伙”的每个存储单元只需要一个晶体管；

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30％，功耗降低40％，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。

嵌入式DRAM在网络处理器中的应用

在网络处理器中采用嵌入式DRAM具有其它存储器不可比拟的优点，本文讨论如何利用嵌入式DRAM减少元件数量和降低功耗，以及嵌入式DRAM如何满足网络处理器的存储要求。

吉位规模DRAM的发展和挑战

本文从工艺技术、单元结构、单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模DRAM的发展和面临的挑战 ;

片上eDRAM性能评价函数簇研究

本论文针对基于eDRAM的SOC中存储系统的性能评估问题、设计问题和可复用的eDRAM的集成技术问题进行研究,提出了一种定量的存储系统性能评估的建模方法。建立基于eDRAM存储系统评价函数簇模型,包括L(访问延迟)函数,P(功耗)函数,A(面积)函数和Y(良率)函数。利用此模型在已知系统性能要求的情况下,可以求出满足系统性能要求的最佳的参数值,或是多种满足条件的备选方案,为在SOC中使用eDRAM时优化存储器配置和存储系统设计提供理论依据。

现代高速网络设备核心部件——网络处理器技术分析

对现代高速网络设备的核心部件—网络处理器的体系结构、功能进行分析 ,提出网络处理器中软件的基本并行算法设计思想 ,并探讨网络处理器技术的未来发展趋势。

IBM研制全球最大超级计算机

13前，IBM宣布它的最新的超级计算机计划的核心将采用32个内核的Power7处理器芯片．这种芯片将配置大量的嵌入式DRAM内存．IBM的“Blue Waters”（蓝水）超级计算机将安装在美国伊利诺斯大学，于2011年开始投入使用．这台超级计算机将是全球可以公开使用的最大的超级计算机．从理论上说，这台超级计算机通过连接16384个Power处理器节点能够达到每秒1．6亿万亿次的运算速度．

IBM正在研制全球最大的超级计算机“蓝水”

IBM最新的超级计算机计划的核心将采用32个内核的Power7处理器芯片。这种芯片将配置大量的嵌入式DRAM内存。IBM的“Blue Waters”（蓝水）超级计算机将安装在美国伊利诺斯大学，于2011年开始投入使用。这台超级计算机将是全球可以公开使用的最大的超级计算机。

IBM正在研制全球最大的超级计算机“蓝水”

IBMZE在努力研制其Power7处理器。现在，IBM宣布它的最新的超级计算机计划的核心将采用32个内核的Power7处理器芯片。这种芯片将配置大量的嵌入式DRAM内存。

LSI扩展定制IP产品系列

LSI公司日前宣布推出具有多核功能的PowerPC476微处理器内核和高速嵌入式DRAM内存模块，进一步丰富了其定制芯片IP产品系列。该新型处理器内核和内存模块旨在加速用于诸如企业级交换机、路由器、RAID存储器、服务器以及基站等高性能应用中的高级网络和存储SoC的开发。

LSI针对企业网络和存储应用扩展定制IP产品系列

LSI公司推出具有多核功能的PowerPC476微处理器内核和高速嵌入式DRAM内存模块，进一步丰富了其定制芯片IP产品系列。该型处理器内核和内存模块旨在加速用于诸如企业级交换机、路由器、RAID存储器、服务器以及基站等高性能应用中的高级网络和存储SoC的开发。

IBM正在研制每秒运算1.6亿万亿次的超级计算机

据报道．IBM公司正在努力研制其Power7处理器．并宣布其最新的超级计算机的核心将采用32个内核的Power7处理器芯片。这种芯片将配置大量的嵌入式DRAM内存。

内置DSP的处理器系统级芯片

STW22000在STW21000的基础上增加了一个600MHz16／32位双MACDSP核心，集成了300MHZARM926EJ-SRISC核心、16Mb嵌入式DRAM、eFPGA模块、可重新配置接口以及各种模拟数字外设，如模数和数模转换器。新增加的ST122DSP整合了VLIW和RISC的特性，还嵌入一个专用CDE（卷积解码引擎）。