NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究

在密度泛函理论框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附。研究结果表明:具有氧缺陷结构表面的催化活性较高,有利于NO键的削弱;当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时,NO键将进一步削弱,直致断裂,并伴有N2O产生,这与UPS和MIES实验观察到的现象一致。Mulliken布居分析指出,底物电子向NO转移,并填充到NO的*反键轨道上,从而导致NO键的削弱,并形成NO-。这也是可能导致形成NO-的原因。研究还表明,具有镁缺陷的MgO(001)表面对NO的解离没有催化活性。

O_2在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附(英文)

在密度泛函理论的框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了O2在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附.用电荷自洽的方法确定了点电荷的值.计算结果表明,O2倾向吸附在低配位的角Mg2+端.并且发现,当O2为平躺吸附时,键长有较大的拉伸,将有利于O2的解离.同时,分别计算了使用裸簇和嵌入表观±2.0e点电荷簇模型时的吸附能,并与采用电荷自洽方法的计算值进行了比较.结果表明,电荷自洽方法更能有效反映簇周围的环境,得到的计算结果能够较好地与实验值吻合.最后,分别计算了不同吸附情况下O2的振动频率.