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Al^(3+)、Sc^(3+)掺杂的LiMn_2O_4电子结构和平均嵌入电压研究 被引量:2
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作者 徐香兰 韩红 《应用化工》 CAS CSCD 2012年第7期1218-1223,共6页
采用密度泛函理论方法研究了锂离子正极材料LiMn2O4电子结构及金属掺杂对其平均嵌入电压的影响。嵌锂前后差电荷密度分析表明,Mn2O4嵌锂过程中,O、Mn均得到Li给出的电子,且以O得电子为主。Al3+和Sc3+取代LiMn2O4原胞中的Mn掺杂研究表明,... 采用密度泛函理论方法研究了锂离子正极材料LiMn2O4电子结构及金属掺杂对其平均嵌入电压的影响。嵌锂前后差电荷密度分析表明,Mn2O4嵌锂过程中,O、Mn均得到Li给出的电子,且以O得电子为主。Al3+和Sc3+取代LiMn2O4原胞中的Mn掺杂研究表明,Al3+和Sc3+在嵌锂过程中不参与和Li的电子交换,因而导致掺杂体系具有较大的嵌入电压。且Al3+、Sc3+掺杂导致LiMn2O4电极材料稳定性提高,材料密度减小,因此Al3+和Sc3+可作为较佳的锂离子正极掺杂材料。 展开更多
关键词 密度泛函理论 金属掺杂 LIMN2O4 平均嵌入电压
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变电站嵌入式电压无功控制技术方案
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作者 吴建平 张剑春 隋春荣 《电力系统装备》 2004年第6期87-89,共3页
介绍了用于变电站的嵌入式无功电压控制技术方案的设计要求,阐述了系统设计方案及硬件、软件模块的设计和技术实现方法,并对优化的无功控制策略和系统未来扩展进行了描述。
关键词 变电站 电力系统 经济运行 供电可靠性 嵌入电压无功控制
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关于多特征自变量调节的含UPFC电力系统的潮流变化率特性 被引量:4
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作者 刘津濂 徐政 +2 位作者 杨健 张哲任 宋鹏程 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2021年第1期186-191,210,共7页
含统一潮流控制器(UPFC)的电力系统潮流变化率或调节效率主要由UPFC输出的串联侧嵌入电压(OSIV)的幅值和相角以及系统相角差所决定。选择这3个变量作为系统潮流调节的特征自变量(CIV),以含UPFC双端电力系统的实际电路为背景,推导了系统... 含统一潮流控制器(UPFC)的电力系统潮流变化率或调节效率主要由UPFC输出的串联侧嵌入电压(OSIV)的幅值和相角以及系统相角差所决定。选择这3个变量作为系统潮流调节的特征自变量(CIV),以含UPFC双端电力系统的实际电路为背景,推导了系统不同关键节点处关于每个CIV的有功与无功潮流变化率数学模型。以系统潮流调节自由度和调节效率为依据,对系统潮流变化率的调节特性进行了理论分析。设置了多种典型系统运行工况,基于OSIV幅值和相角的2种递增变化组合方式设计了2种潮流变化率调节模式,并设计了关于系统相角差的多种典型调节场景。最后,对系统每个关键节点处的关于每个CIV的潮流变化率特性进行了案例测试与分析,所得结论有利于综合协调潮流调节效率与系统保护及稳定性的要求,使电网既高效又稳定地运行。 展开更多
关键词 统一潮流控制器 串联侧嵌入电压 潮流变化率 特征自变量 关键节点 系统运行工况
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Mn掺杂对Li_4Ti_5O_(12)结构影响的第一性原理研究 被引量:2
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作者 彭权 《黑龙江科技信息》 2009年第29期54-54,共1页
运用基于密度泛函理论的第一性原理计算了对Li4Ti5O12体系进行Ti位掺杂后的各种属性,包括掺杂后的晶格参数,优化体积,体系总能以及嵌入电压等。计算结果显示对体系掺入少量Mn原子会使体系体积收缩,并且会降低体系的平均嵌入电压。更有... 运用基于密度泛函理论的第一性原理计算了对Li4Ti5O12体系进行Ti位掺杂后的各种属性,包括掺杂后的晶格参数,优化体积,体系总能以及嵌入电压等。计算结果显示对体系掺入少量Mn原子会使体系体积收缩,并且会降低体系的平均嵌入电压。更有趣的是,靠近Mn原子的八面体TiO6结构出现扭曲,且有发生了Jahn-Teller效应。 展开更多
关键词 锂离子电池负极材料 第一性原理 掺杂 嵌入电压
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共掺杂TiO_2-B作为可充电锂离子电池负极材料的DFT+U分析
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作者 庞可 孔令明 +1 位作者 任瑞鹏 吕永康 《太原理工大学学报》 北大核心 2017年第6期901-906,共6页
采用多元胞组合法构建出钝化共掺杂TiO_2-B模型,并引入共掺杂原子N+V和C+Cr,对其进行第一性原理的密度泛函理论(density functional theory,DFT)分析。通过对Li^+嵌入位点和迁移活化能的计算,确定了Li^+低浓度下共掺杂模型中最稳定的嵌... 采用多元胞组合法构建出钝化共掺杂TiO_2-B模型,并引入共掺杂原子N+V和C+Cr,对其进行第一性原理的密度泛函理论(density functional theory,DFT)分析。通过对Li^+嵌入位点和迁移活化能的计算,确定了Li^+低浓度下共掺杂模型中最稳定的嵌入位点,得出N+V和C+Cr共掺杂体系的迁移活化能分别为0.47,0.42eV;对Li^+高浓度下嵌入电压进行计算,得出N+V共掺杂嵌入电压为0.83~0.97V,比C+Cr共掺杂的对应值1.05~1.27V小,因此N+V共掺杂模型更适合用作锂离子电池的负极材料;对两种共掺杂的态密度进行计算,得出N+V和C+Cr共掺杂体系的带隙宽度分别为1.7,1.4eV,说明N和C主要修饰价带结构,V和Cr主要修饰导带结构。 展开更多
关键词 Li离子电池 负极材料 TiO2-B 钝化共掺杂 嵌入电压 迁移活化能 带隙 密度泛函理论
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Oriented Growth of PZT thick film embedded with PZT nanoparticles 被引量:3
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作者 段中夏 袁杰 +2 位作者 赵全亮 路冉 曹茂盛 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2009年第2期232-236,共5页
This paper reports that dense and crack-free (100) oriented lead zirconate titanate (Pb( Zr0. 52Ti0. 48 )O3, PZT) thick film embedded with PZT nanopartieles has been successfully fabricated on Pt/Cr/SiO2/Si subs... This paper reports that dense and crack-free (100) oriented lead zirconate titanate (Pb( Zr0. 52Ti0. 48 )O3, PZT) thick film embedded with PZT nanopartieles has been successfully fabricated on Pt/Cr/SiO2/Si substrate by using PT transition layer and PVP additive. The thick film possesses single-phase perovskite structure and perfectly (100) oriented. The (100) orientation degree of the PZT films strongly depended on annealing time and for the 4μm-thick PZT film which was annealed at 700℃ for 5 min is the largest. The (100) orientation degree of the PZT thick film gradually strengthen along with the thickness of film decreasing. The 3μm-thick PZT thick film which was annealed at 700℃ for 5 rain has the strongest (100) orientation degree, which is 82. 3%. 展开更多
关键词 PZT SOL-GEL thick film oriented growth
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