pPDA／ODA-PMDA嵌段共聚酰亚胺薄膜的聚集态结构

通过控制2个组分的序列长度,制备了pPDA(对苯二胺)/ODA(4,4′-二氨基二苯醚)-PMDA(均苯四羧酸二酐)嵌段共聚酰亚胺(b-PI).采用偏光显微镜(PLM)、广角X射线衍射(WAXD)、透射电子显微镜(TEM)和力学性能测试研究了b-PI薄膜的聚集态结构.结果表明,所有b-PI薄膜均可结晶,生成微晶或不完善的小球晶.刚性棒状的pPDA-PMDA分子链段发生相分离,形成晶核,半刚性的ODA-PMDA分子链以pPDA-PMDA为晶核进行晶粒生长.在结晶过程中,晶核数目取决于pPDA/ODA比值及pPDA-PMDA(PP)链段长度,而晶粒尺寸依赖于ODA-PMDA链段(PO)的运动能力.通过调节二元胺的比例及2个嵌段组分的序列长度,可以对薄膜的聚集态结构实现可控制备,从而达到对性能的控制.

聚酰亚胺嵌段聚乙二醇锂离子电池隔膜的制备及性能研究

采用低温缩聚-化学亚胺化法合成了聚酰亚胺-聚乙二醇嵌段共聚物(PI-b-PEG),并利用相转化法制备了具有高耐热性能和离子传输性能的PI-b-PEG锂电池隔膜.将其性能与PI隔膜和商业Celgard 2325 PP膜进行了对比考察.结果表明,PI和PI-b-PEG隔膜在200℃可以保持尺寸稳定,具有优异的耐热性能.与商业PP膜相比,PI和PI-b-PEG隔膜表现出更高的孔隙率、吸液率、锂离子迁移数和离子电导率.PI-b-PEG隔膜离子电导率相对PI提升显著,常温下达到1.912 2 mS/cm.PI-b-PEG隔膜所组装的电池表现出良好的循环稳定性,以1 C的电流密度进行充放电,100次循环后容量仍然可以保持在137.6 mA·h/g.同时,PI-b-PEG隔膜电池表现出更好的倍率性能.

高剥离强度精细印制电路基材

此项发明提供一种树脂复合电解铜箔,它既改善了制成基材的耐热性能,也提高了在加成法工艺过程中经过去腻污等工序后基材的剥离强度。具体做法是在电解铜箔(A)的粗糙表面上形成一些微小的突起,其粗糙度(Rz)在1.0μm～3.0μm的范围内、光亮度不大于30,在此表面上形成一树脂复合层(B),这种树脂是嵌段共聚聚酰亚胺树脂,它是由第一种结构的酰亚胺低聚物和第二种结构的酰亚胺低聚物交互、重复结合构成的。