相邻激励器合成射流流场数值模拟及机理研究

建立了将合成射流激励器腔体、出口喉道、外部流场作为单连域计算处理的吹/吸型边界模型。在此基础上,对不同相位差、不同振幅、不同频率的相邻激励器相互作用形成的合成射流流场进行了数值分析。计算结果表明:相邻激励器工作时的相位差、振幅不同、驱动频率不同对其形成的合成射流流场有很大影响,合成射流不再对称分布,流动将发生偏转。其机理是由于两激励器吸入和排出流体流动不同(不同相、不同幅值、不同频率),使得两列旋涡对不对称,因此在两列旋涡对之间存在涡量强度不同和压强梯度,从而引起旋涡对向低压侧和强涡量区偏转。

串列加速器超导增能器能量测量系统设计

设计了一套用于测量超导增能器束流能量的系统,并专门加工了测量装置,束流经准直后轰击金靶,通过测量散射粒子确定束流能量。探测器采用金硅面垒型半导体探测器,其信号经放大处理后进入多道分析器测量散射粒子能谱。另外基于LabVEWI开发平台,编写了测控软件,完成了束流能量刻度、能量测量和工作相位设置,并采用CA Lab方式与EPICS数据实现共享。测试结果表明:该系统测量精度高,运行稳定可靠,可满足工程实际需求。

高速ADC中具有失调对消的采样保持电路设计

基于采样速率最快的全并行(Flash)ADC(Analog to Digital Converter)结构,采用UMC 0.18 um CMOS工艺,设计了一种具有失调对消的采样保持电路(Track-and-Hold Circuit)。该THC嵌入比较器的两级预放大电路之中,不仅可以简化ADC结构,还进一步提高了比较器速度。通过电路工作相位ф_1,ф_2交替变换,不同相位的失调分量等值反向,输出累加实现对比较器失调对消。最后,在2 GHz时钟频率下进行仿真,仿真结果表明,输入信号为800MHz时,具有失调对消THC的Flash ADC较传统结构的SFDR(Spurious Free Dynamic Range),SINAD(Signal to Noise And Distortion)分别提高了8.26 dB、3.14 dB,ENOB(Effective Number Of Bits)提高了0.52 bits。

双通道交互式PWM控制器LM5032的应用

介绍了高压输入双通道交互式PWM控制器LM5032的特点及引脚功能,芯片内置两个独立的电流模式脉宽调制器,双通道工作时输出驱动信号相位上相差180°,减小了输入纹波,减小了输出纹波和输出电容的用量。分析了实现交互式变换器的方式,给出了典型的应用电路,并做了详细的说明,最后给出了实验结果和几个主要波形。