DMSA在时序签核中的应用

在芯片的设计过程中,静态时序分析(Static Timing Analysis,STA)无疑是整个设计中最重要的一环。如今纳米级工艺下的芯片设计往往属于多工艺角多模式(MultiCorner-MultiMode,MCMM)物理设计,工艺角和工作模式的特定组合称之为场景,多场景的物理设计会给芯片带来更加稳定的性能,但也会使静态时序分析变得更为复杂。介绍了分布式多场景时序分析(Distribute Multi_Scenario Analysis,DMSA)技术在多工艺角多模式物理设计中的应用。经过基于Smic 90 nm工艺的多场景数字芯片Cxdp13设计实践分析表明,在一定硬件条件支撑下,分布式多场景时序分析技术在多工艺角多模式的物理设计中可以达到快速时序签核的目的。

一种优化寄存器默认值的掩膜后ECO方法

芯片在通过多目标晶圆(Multi Project Wafer,MPW)得到的样片进行测试后,可能会发现芯片内部部分寄存器上电复位后的默认值不合理,需要进行优化。本文提出了一种优化寄存器默认值的掩膜后工程改变命令(Engineering Change Order,ECO)方法,其特点是只修改金属层掩膜板即可实现寄存器默认值的优化,减少芯片进行工程批流片的成本。我们利用全局控制寄存器模块进行试验评估,最后的仿真结果和签核验证表明ECO后的寄存器默认值满足修改要求。