一种PN结隔离互补双极工艺

介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。

高频互补双极工艺探析

本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极（ＣＢ）工艺作了一粗略分析。并结合作者在ＣＢ工艺方面的实验和国内当前工艺和设备水平，提出了两种在现有技术条件下可以实现的ＣＢ工艺。

一种实用化的互补双极工艺技术

在3μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB)。利用此工艺制造出特征频率分别为3.2GHz和1.6GHz的高性能NPN与PNP管,并成功地集成在压摆率高达2200V/μs的高速运算放大器芯片中。

基于互补双极工艺的高速12位电流型D/A转换器的设计

基于互补双极工艺技术,设计出了一种二进制电流源加权型结构的高速12位电流型D/A转换器,与基于CMOS工艺技术的实现相比,该D/A转换器具有结构简单、性能优异的特点,Hspice模拟结果表明,其满量程输出电流为10.24mA,满量程建立时间小于25ns。

高性能模拟集成电路工艺技术

介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。

高频CB工艺与硅超高速集成运放

本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计、版图设计和工艺研究情况.

一种基于CMOS工艺的二维风速传感器的设计和测试

给出了一种完全基于CMOS工艺的、能同时测量风速和风向的二维测风传感器的结构、工作原理及其测试结果。该传感器采用恒温差工作模式，热堆输出电压平均值反映芯片温度和环境温度的差，省去了测温二极管。风速测量采用热损失型原理．因此不存在速度量程问题；同时通过四周对称分布热堆的相对差分输出得到风向，风向的测试和风速无关。测试电路是由普通运放电路组成的控制和测试系统。经过风洞测试，风速的测量可以达到23m／s，风速分辨率达到0．5m／s，风速的最大误差为0．5m／s。传感器的反应时间为3～5秒，整个功率损耗约为50mW。

基于标准CMOS工艺的光敏传感单元结构的研究

基于0.6 μm标准N阱CMOS工艺,研究了光敏管的结深及其侧墙结构对有源感光单元的感光面积百分比、光电响应信号幅值、感光灵敏度以及感光动态范围等参数的影响.研究了包括传统N+/P衬底的光敏管结构,以及网格状N+/P衬底,N阱/P衬底,网格状N阱/P衬底,P+/N阱/P衬底的光敏管结构.测试结果表明,不同深结深的光敏管结构,可以将器件感光灵敏度提高8～16.5 dB;网格状光敏管结构可以增加光敏管的侧墙面积,改善器件感光灵敏度;非网格状光敏管结构具有较低的暗电流和较大的感光动态范围,其中P+/N阱/P衬底光敏管结构的传感单元在变频两次扫描的工作方式下的感光动态范围可达139.8 dB.

多种工艺有机结合,提升有色冶炼总体技术水平

介绍了中冶葫芦岛有色金属集团有限公司各种冶炼工艺的特点以及多种工艺的有机结合情况。各工艺的有机结合,实现了原料、中间物料循环利用的优势互补,提高了有价金属的综合回收率,降低了生产成本,减少了各种渣单独处理的流程。

基于CMOS工艺的音频前置放大器的设计与实现

设计了一种基于CMOS技术的双声道四输入音频前置放大器芯片.芯片集成了音量控制、响度控制、可选择增益控制等功能,采用I2C介面控制,具有低失真、高可靠度等特点.放大器采用新颖的双级CMOS放大器结构,该结构简单,开环输出增益高,共模输入范围大,只有一个频率补偿电容.芯片根据国内生产线而设计制造,在ACSMC的3μm9V高压CMOS工艺线上流片,版图面积为3.0mm×2.6mm,样片经用户测试符合设计要求,可以产业化.

基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究

延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2.5倍,样管在5 V栅压下输出的电流可达到750 mA。作为开关管工作,对于1 000 pF容性负载,其工作电流在550 mA时,工作频率可达500 KHz。

65nm标准CMOS工艺阈值电压系统波动检测方案设计

设计了一种标准CMOS工艺下的阈值电压系统波动检测电路,其检测电路核心部分是工作在亚阈值区的环形振荡器(SRO)。该方案包括8种级数、2种尺寸共16种SRO,并以8种级数、2种尺寸共16种传统环形振荡器(RO)作对比,在SMIC 65nm标准CMOS工艺上流片验证。芯片测试结果表明:新方案相对传统检测方案具有更高的灵敏度,更直观;且阈值电压的系统波动随器件尺寸增大而略微减小。

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器的设计

介绍了一款基于SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器(LNA)的设计与测试。分析了毫米波频段硅基集成电路的匹配设计方法,给出了HBT晶体管电流密度与噪声系数的关系,以及最佳噪声偏置点的选取方法。并基于以上方法设计了单级共基共射低噪声放大器,LNA芯片基于Global Foundry 8HP工艺流片验证。测试结果表明,该LNA实现了30~40GHz的-1dB带宽、小于3.5dB的噪声系数以及6.2dBm的1dB压缩输出功率(P-1dB);输入输出反射系数均小于-15dB,中心频率(35GHz)处增益为7.2dB(单级),LNA的直流电流为6.7mA,电源电压为1.8V。

基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计

设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、载波中信号的提取、芯片时钟恢复和反向调制信号发射的全部功能。

基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件

基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。

一种低失调轨到轨集成运算放大器的设计

设计了一款低失调轨到轨运算放大器。通过利用两个晶体管的基极-发射极(BE)结压降和一个可修调电阻来钳制共射-共基组态中共基对管的集电极电位,同时用电阻代替输入级有源负载,有效抑制了电路失调;偏置电路使用温度系数相反的p型结型场效应晶体管(p-JFET)与Cr-Si电阻结合,产生高精度、低温漂的电流;增益级与输入级组合为共射-共基结构,实现高增益;输出级采用AB类结构,保证轨到轨输出的同时提供足够的驱动能力。基于互补双极型工艺流片,测试结果表明:在电源电压±15 V,共模输入电压为0 V时,输出电压摆幅为-14.97~14.86 V,输入失调电流低于0.8 nA,大信号增益达到121 dB,压摆率为4.28 V/μs。该芯片可应用于便携式电信设备、电源控制与保护、采用轨到轨输入的传感器等领域。

一种高精度低噪声运算放大器设计

设计并实现了一种高精度低噪声运算放大器。提出了一种基极电流消除技术,补偿了输入对管基极电流,有效地降低了运算放大器的输入偏置电流,从而能够通过提高输入对管的集电极电流来减小输入噪声电压,实现了较低的运算放大器总等效输入噪声。同时,采用集电极-发射极电压补偿电路,消除了厄利效应的影响,提高了电路精度。电路采用36 V互补双极工艺流片,测试结果表明,芯片的失调电压为6.94μV,在1 kHz下的电压噪声密度为5.6 nV/√Hz,电流噪声密度为0.9 pA/√Hz。

一种电流型温度传感芯片设计

设计并实现了一种电流型温度传感芯片。分析了测温原理和厄利效应对测温精度的影响,提出了一种集电极-发射极电压补偿电路,利用一组电流镜和匹配电阻将输出电流和温度之间的传递函数线性化,提高了芯片的线性度和测温精度。设计了反向偏置保护电路,增大芯片可承受的反向电压。芯片采用40 V互补双极工艺设计并流片。测试结果表明,芯片在-55~150℃温度区间内的非线性误差为±0.2℃,测温精度小于±0.3℃。