碳扩散模型在工艺偏差修正中的作用

目前,碳扩散模型已被成功地应用于在线热处理工艺偏差修正中。传统的离线模拟现在已被在线模拟所取代。这种在线模拟技术是用一种复杂的先进的计算机软件监控系统来实施的。这种监控系统能够校正炉内的各种干扰偏差,决定各种材料最适宜的渗碳周期、碳化物形成范围和表层碳浓度分布曲线。

机械制造工艺可靠性研究

机械加工制造过程中,生产制造工艺可靠性与产品质量密切相关,与机械制造技术、设计理念与过程管理密不可分。在机械制造生产过程中,如不能充分考虑外在因素及制造工艺对机械制造可靠性的影响,可萌造成机械产品加工误差较大,无法满足机械产品加工标准要求。基于此,本文深入分析了机械制造可靠性内涵,并从技术支持、加强管理、工艺维修、工艺修正等方面提出建议措施,以期实现技术与过程管理的有机结合,提高机械制造工艺可靠性,满足机械设备生产制造加工要求。

机械制造工艺可靠性的研究论述

经济和科技的飞速发展推动了各个行业的进步,机械制造业也有了更大的发展空间。在机械加工制造过程中,生产工艺与产品质量有密切联系,为了确保机械制造工艺的可靠性,必须结合制造技术、制造理念以及制造过程等进行充分分析,满足机械制造的质量提升需求。而在机械制造工艺应用中存在一些外界影响因素,会使制造过程受到不良影响,进而出现产品加工误差,导致产品质量不符合要求。因此,需要结合机械制造工艺的可靠性进行分析,从技术、管理、工艺等多个方面加大管理措施实施力度,使机械制造工艺与机械制造过程有机融合,确保机械制造工艺的可靠性,满足加工质量要求。

关于机器制造的工艺可靠性研究

机械制造工艺可靠性是衡量机械产品质量的重要指标。文章通过诠释机械制造工艺可靠性的背景和内涵,并分析与探讨影响机械制造工艺的核心要素,最后针对机械制造工艺的可靠性提出决策和需求。

Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究

为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺。通过光学显微镜、XRD射线2θ-ω、XRD摇摆曲线等分析Si基3C-SiC薄膜表面质量和单晶特性。研究表明,在x(C)/x(Si)气相摩尔比为1.6时,采用"两步碳化工艺"在1 385℃生长1 h获得的3C-SiC薄膜为类单晶薄膜,3C-SiC薄膜(200)衍射峰的摇摆曲线半峰宽约为0.19°。

Preparation of Nano-Particles (Pb,La)TiO_3 Thin Films by Liquid Source Misted Chemical Deposition

Nano particles lanthanum modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO 2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and then annealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60 nm. The deposition speed is 3 nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300 ℃ for 10 min and anneal at 600 ℃ for 1 h.

球形封头环缝TOFD检测可行性试验研究及应用

锅炉和压力容器球形封头环缝采用衍射时差法(TOFD)检测时,由于封头侧有弧度影响,造成主声束角度不一致、聚焦点位置发生偏离和传播声程不同等因素变化,所以行业内普遍认为球形封头环缝TOFD检测可靠性较差,因此目前封头环缝主要采用射线照相(RT)检测。本文介绍了球形封头环缝用工艺修正方法进行TOFD检测的可行性试验,获得检测数据及检测结果,并在工程中得到实际成功应用。