集成电路工艺制程虚拟仿真实验设计

高校普遍存在难以建造完整的集成电路工艺线,导致工艺实验难以有效开展,在一些特殊情况(如突发疫情)下,原本建立的校企、校校合作方式开展的工艺实验难以实施等问题。针对存在的问题,以在功率集成电路中广泛应用的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件为例,开展集成电路工艺制程虚拟仿真实验设计。基于半导体工艺计算机辅助设计(Sentaurus TCAD)虚拟仿真平台,完成LDMOS器件的结构设计、工艺设计、性能测试等实验环节,涵盖了集成电路从硅片选型到芯片成型的全流程工艺。

十年争强 逐鹿方寸间 以PPAC分析集成电 路三巨头的工艺制程

英特尔、台积电和三星是全球逻辑集成电路工艺制程最先进的三家厂商。从28nm时代开始,这三家厂商就在集成电路的工艺制程上你追我赶,并一直持续到即将到来的3nm阶段。回顾过去,展望未来,英特尔、台积电和三星在集成电路工艺上究竟有怎样的发展历史,未来又会带来怎样的产品?今天本文就带你一起了解一下。

《中国IC 28纳米工艺制程发展》白皮书发布

赛迪顾问发布了《中国IC 28纳米工艺制程发展》白皮书。白皮书指出,随着28纳米工艺技术的成熟,28纳米工艺产品市场需求量呈现爆发式增长态势：从2012年的91.3万片到2014年的294.5万片,年复合增长率高达79.6%,并且这种高增长态势将持续到2017年。白皮书明确表示,28纳米工艺将会在未来很长一段时间内作为高端主流的工艺节点。

凯明使用中芯国际0．18微米工艺制程一次流片成功

由凯明信息(凯明)开发的3G TD—SCDMA芯片，使用中芯国际半导体制造(上海)有限公司(中芯国际)0．18微米工艺制程一次流片成功。这一专用芯片首次实现了中国3G标准核心芯片在国内进行自主设计、自行加工制造与测试。凯明完成了前端系统和电路设计及验证，由芯原微电子(芯原)提供中芯国际0．18微米单元库和后端设计服务。该项目于2004年4月启动，样品于同年8月面市，目前已通过产品样片测试和系统测试并试产。

基于LTPS制程工艺的LCD/OLED显示用玻璃基板发展综述

随着显示行业高端消费品的发展要求,LTPS成为目前显示领域炙手可热的先进技术,但是由于国外技术封锁,国内全部依赖进口,因而我们必须自主研发,提升综合竞争力。本文基于平板显示最新发展动态和研发热点,综述了高分辨率LCD/OLED显示产品所用LTPS制程工艺种类与特点,以及LTPS制程工艺对玻璃基板的理化性能要求,其中,玻璃基板耐热性、热膨胀系数、紫外透过率、弹性模量是十分关键的技术指标;论述了溢流法生产工艺和浮法生产工艺所生产的LTPS玻璃基板的优势与劣势;总结了美国和日本开发满足LTPS制程工艺的玻璃基板产品状况;讲述了我国尚未形成技术和产业突破,亟须加大对LTPS制程工艺的玻璃基板的研发投入和产业探索的现状。

基于LTPS制程工艺的LCD/OLED显示用玻璃基板发展综述

随着显示行业高端消费品的发展要求,LTPS成了目前显示领域炙手可热的先进技术,但是由于国外技术封锁,国内全部依赖进口,因而我们必须自主研发,提升综合竞争力。本文基于平板显示最新发展动态和研发热点,综述了高分辨率LCD/OLED显示产品所用LTPS制程工艺种类与特点,以及LTPS制程工艺对玻璃基板的理化性能要求,其中玻璃基板耐热性、热膨胀系数、紫外透过率、弹性模量是十分关键的技术指标;论述了溢流法生产工艺和浮法生产工艺所生产LTPS玻璃基板优势与劣势;总结了美国和日本开发满足LTPS制程工艺的玻璃基板产品状况;讲述了我国尚未形成技术和产业突破,亟须加大对LTPS制程工艺的玻璃基板的研发投入和产业探索的现状。

赛迪发布《中国IC28纳米工艺制程发展》白皮书

近日,赛迪顾问发布《中国IC 28纳米工艺制程发展》白皮书。白皮书指出,随着28纳米工艺技术的成熟,28纳米工艺产品市场需求量呈现爆发式增长态势。数据显示,从2012年的91.3万片到2014年的294.5万片,年复合增长率高达79.6%,并且这种高增长态势将持续到2017年。

礼品盒打样制程工艺分析与控制(一)

礼品包装盒作为商品包装中的一类,除了具有商品包装的基本功能,还有着传递商品信息、促进商品销售的作用。现今,精美礼盒包装已成为日用品、化妆品、食品、酒类及电子产品领域的主流,它以多彩的魅力、个性化的风格,得到更多消费者的青睐。本文就礼品盒的制程打样工艺、过程控制作简要叙述,以供同行分享。

礼品盒打样制程工艺分析与控制(二)

二、制作工艺与控制1.模切工艺模切与半穿模切工艺是礼品盒制作中应用最多的一种工艺,一般操作为正模切,反成型。其优点是,流程操作简单易控制,特别适合自动设备的流水线生产。缺点是灰板成型后,外角线处会有一个缺口,裱糊后角呈半圆形状,操作时如有碰撞,会有凹陷问题出现,影响整体美观。

礼品盒打样制程工艺分析与控制(三)

7.胶水涂布方式与控制胶水使用与涂布是裱糊过程不可缺少的环节。在裱糊前，首先对胶水的技术指标进行测量，白乳胶的黏度要达到2100CPS，固含量在35%以上。涂布量为（31±2）g/m2。动物蛋白胶完全溶解、搅拌均匀后，使用手持折光仪检测，浓度控制在（55±5）%。涂布量还应根据包料材质确定标准值，一般控制在（33±2）g/m2。当然，季节的替换造成温湿度发生变化，胶水的技术指标及开放时间也应进行调整。

IMEC利用CMOS工艺制程GaN MISHEMTs

欧洲微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Cent。即IMEC)与其合作伙伴共同开发了在200mm硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术,GaN MISHEMTs(metal-insulator semiconductor highelectron mobility transistors,无金属高电子迁移率晶体管)能够严格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)

英特尔下一代65纳米工艺制程投入使用

英特尔公司宣布制造出基于65纳米技术(下一代半导体批量制造工艺)的全功能SRAM(静态随机存储器)芯片。这种65纳米制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低K电介质材料。

45nm远不是极限！了解神秘的处理器制程工艺

“1965年，我为《电子学》撰写文章。那时我预见到．我们将制造出更复杂的电路从而降低电器的成本一根据我的推算，10年之后．一块集成电路板里包含的电子元件会从当时的60个增加到6万多个，那是个大胆的推断。1975年．我又对它做了修正，把每一年翻一番的目标改为每两年翻一番。”——戈登·摩尔（Gordon Moore）

温湿度控制在半导体制程中的作用研究

结合温湿度控制在半导体工艺各流程中的重要性,论述了不同工艺步骤专用设备,对温湿度的控制的必要性,对所处的洁净室环境提出了更高要求。随着半导体制程进入纳米级,温湿度控制要求更精细化、智能化。确保半导体的质量和器件的性能,可以提高生产效率和减少生产成本。因此,在半导体工艺的设计和运行中,必须充分考虑温湿度控制这一因素。

国产离子注入设备实现28 nm工艺全覆盖

据报道,中国电子科技集团旗下中电科电子装备集团有限公司(以下简称电科装备)已实现离子注入装备28 nm工艺制程全覆盖,有力保障我国集成电路制造行业在成熟制程领域的产业安全。据悉,离子注入机是芯片制造中的关键装备,28 nm则是当前芯片应用领域中覆盖面最广的成熟制程。

SMT制程工艺对Sn-37Pb/Cu焊接界面影响

采用扫描电镜(SEM)研究了表面贴装技术制程工艺,包括锡膏黏度、锡膏模板厚度、传送带速度、恒温区保温时间、印刷电路板烘烤处理等对Sn-37Pb/Cu焊接界面层的影响。结果显示,SMT制程工艺并不影响焊接界面金属间化合物层的组成,IMCs主要成分为Cu6Sn5 相,但影响了IMCs层的形态与厚度,其中传送带速度影响了Cu6Sn5 相的平均直径,而恒温区保温时间则对IMCs层的形态与厚度影响最大。

各大半导体巨头制程工艺发展近况解读

目前全球主要集成电路的制造厂家的制程已经发展到纳米(nm)级别,全球各大半导体巨头制程工艺在竞争中发展。毫无疑问,Intel是半导体工业的技术霸主,是先进制程技术的带头人。AMD是曾经的追随者,与格罗方德合作后又转向三星。台积电在GPU领域有崇高地位,能否再创辉煌,业界拭目以待。三星14nm Fin FET的规模化量产,使得三星成为全球半导体领域的新霸主。制程工艺的极限将推动集成电路制造技术产生革命性创新。

英特尔开始研发7纳米和5纳米制程工艺

英特尔首席执行官保罗·欧德宁（PaulOtellini）日前表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。欧德宁表示：“我们的研发已非常深入，面向未来10年。”他透露，英特尔对7纳米和5纳米制程技术的研究仍在按原定时间和目标稳步推进。

Credo推出基于台积电5 nm及4 nm先进制程工艺的全系列112G SerDes IP产品

Credo Technology正式宣布推出其基于台积电5 nm及4 nm制程工艺的112G PAM4 SerDes IP全系列产品,该系列能够全面覆盖客户在高性能计算、交换芯片、人工智能、机器学习、安全及光通信等领域的广泛需求,包括:超长距(LR+)、长距(LR)、中距(MR)、超极短距(XSR+)以及极短距(XSR).