随机栅长变化引起纳米MOSFET失配模型

随着CMOS技术进入纳米工艺,随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一.文中分析并验证了纳米MOS器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相关性及失配解析关系式,并以此为基础,结合偏差传递理论实现了22 nm工艺MOSFET电流失配模型.仿真实验结果表明,该模型揭示了短沟道效应导致的器件阈值电压变化改变了载流子有效迁移率,进而影响电流增益因子及器件电流的规律,精确地估计了随机栅长变化导致的电气参数统计变化特性.

一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法

针对集成电路工艺参数波动影响芯片良率的问题,提出一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法.该算法通过蒙特卡罗仿真模拟流片后的芯片,确定时序电路中可插入缓冲器的最佳位置,在保证良率的前提下,降低了面积及成本损耗.算法经过ISCAS89的基准电路和TAU2013的电路进行仿真验证,结果表明插入缓冲器的数量小于等于触发器数量的1%,良率提高高达35. 98%.