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纳米时代的可制造性设计
被引量:
2
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作者
付本涛
郑学仁
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期532-537,共6页
集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后,制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大,使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性,以及建立可制造性设计机制中的多方合作...
集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后,制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大,使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性,以及建立可制造性设计机制中的多方合作问题。
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关键词
集成电路
可制造性设计
分辨率增强
工艺可变性
光学邻近校正
化学机械抛光
下载PDF
职称材料
题名
纳米时代的可制造性设计
被引量:
2
1
作者
付本涛
郑学仁
机构
华南理工大学微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期532-537,共6页
文摘
集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后,制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大,使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性,以及建立可制造性设计机制中的多方合作问题。
关键词
集成电路
可制造性设计
分辨率增强
工艺可变性
光学邻近校正
化学机械抛光
Keywords
Integrated circuit
Design for manufacturability
Resolution enhancement technique
Process variation
Optical proximity correction
Chemlcal-mechanical polishing
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米时代的可制造性设计
付本涛
郑学仁
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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