糊式电池工艺均匀性的估计

本文对糊式电池的短路电流数值分布进行了分析,并以此估计生产过程的工艺均匀性。

利用分步试验设计表征/优化工艺空间均匀性

半导体制造工艺成品率对空间差异越来越敏感,需要表征与优化工艺空间均匀性。利用两步试验设计方法,针对六输入变量的热氧化工艺,仅需31次试验,便建立了表征工艺目标和空间均匀性响应曲面模型。利用该模型优化工艺,得到了满足其他工艺指标下工艺空间均匀性最优的工艺设置。片间非均匀性从1.44%减小到0.77%,片内非均匀性从0.2%减小到0.12%。

光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响

通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿真计算,定量分析了碲镉汞材料片表面凸点对不同线宽光刻工艺非均匀性的影响,提出了降低光刻工艺非均匀性累积的方法和高质量光刻工艺对碲镉汞材料平坦度的具体要求。