基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC

基于 CMOS器件的离散性机理及误差消除对策 ,研究了高速、高精度嵌入式 CMOS数 /模转换器 (DAC) IP核的设计与实现 .采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构 ,优化了电流源开关电路结构与开关次序 ;利用 Cadence的 Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法 .在 0 .6 μm N阱 CMOS工艺平台下 ,12 - bitDAC的微分线性误差和积分线性误差分别为 1L SB和 1.5 L SB,在采样率为 15 0 MHz、工作电源为 3.3V时的平均功耗为 14 0 m W.流片一次成功 。

利用吸合电极实现亚微米电极间隙的可制造性设计

提出一种利用吸合电极结构的可制造性设计手段,实现亚微米电极间隙的方法。利用静电力拉动可动电极位移实现超出光刻和刻蚀能力的超窄间隙,使得敏感电极间隙由1.3μm减小至300nm,通过该方法获得的亚微米电极间隙对工艺离散性不敏感,电极间隙的不一致性可以下降1个数量级。结合本文提出的I2BAR结构的可制造性设计方法,可以实现完整的微机电系统(MEMS)振荡器可制造性设计。