Co_2O_3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用

研究了金属氧化物Co2O3含量对ZnO压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响.分析了Co2O3含量对ZnO半导体陶瓷各种性能的改善,以及所产生缺陷类型.实验结果表明:随着Co2O3含量在0.6%～0.2%(质量分数)范围内的减少,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小降低,工频耐受力提高,非线性系数增大,在一定程度上掩盖了ZnO晶粒本征缺陷对ZnO陶瓷电导率的影响,使半导体的电导率获得可控性.为获得产品优良的重复性和稳定性,以及降低成本起到十分重要的作用.