巨磁电阻多层膜结构的研究进展

归纳了巨磁电阻效应发现以来在各种合金体系中出现的巨磁电阻多层膜材料,对其性能和晶体结构进行了对比分析,着重从界面粗糙度、元素混合和晶体学织构等方面,评述了巨磁电阻多层膜结构的国内外研究现状,讨论了各种结构参数对巨磁电阻效应的影响。

基于多层膜巨磁电阻磁场传感器制作工艺与特性研究

给出了一种多层膜巨磁电阻(GMR)磁场传感器,利用剥离工艺将其制作在SiO2/Si衬底上,该传感器芯片主要由4个多层膜巨磁电阻连接形成惠斯通电桥,每个巨磁电阻由4部分组成,由下到上分别为衬底(SiO2/Si)、底电极(Al层)、(Co/Cu/Co)n多层膜和顶电极(Al层)。基于巨磁电阻效应,当外加磁场时,电阻条的阻值发生改变,惠斯通电桥输出电压随外加磁场发生改变。在室温条件下,当VDD=5.0 V时,采用磁场发生器系统对传感器磁敏特性进行了测试和分析,在-0.1~0.1 mT的磁场范围内,制备的(Co 3nm/Cu 1nm)20多层膜巨磁电阻磁场传感器的磁灵敏度为0.35 mV·mT^-1,分辨率为0.01 mT。

新型磁电阻效应实验仪研制及应用

利用新型的磁电阻效应实验仪对多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器以及各向异性磁电阻传感器的电阻随外加磁场的变化进行了研究,从而了解各种磁电阻的特性。该新型仪器可在高校实验中应用,有助于学生掌握磁电阻传感器的定标方法,测量并计算3种磁电阻传感器灵敏度,也可用于研究3种磁电阻传感器输出电压与通电导线电流的关系,以及磁电阻的其他效应。

Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构

利用磁控反应溅射方法以Ｔａ作为缓冲层制备了Ｔａ／ＮｉＯ／ＮｉＦｅ／Ｔａ薄膜，磁性分析表明，该结构薄膜的交换耦合场为９．６×１０＾３Ａ／ｍ，但是所需ＮｉＯ的实际厚度增加了。采用Ｘ射线光电子能谱研究了Ｔａ／ＮｉＯ／Ｔａ界面，并进行计算机谱图拟合分析。结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素。在Ｔａ／ＮｉＯ界面处发生了反应：２Ｔａ＋５ＮｉＯ＝５Ｎｉ＋Ｔａ２Ｏ５，使得界面有“互混层”存在。