(Ni_(79)Fe_(21))_(0.48)-(Al_2O_3)_(0.52)纳米颗粒膜的巨霍尔效应

采用磁控溅射法 ,在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe2 1含量的 (Ni79Fe2 1) x (Al2 O3 ) 1-x纳米颗粒膜样品 ,并对样品的巨霍尔效应进行了研究。在 (Ni79Fe2 1) 0 .48 (Al2 O3 ) 0 .52 颗粒膜样品中 ,透射电镜 (TEM )照片清晰地显示出纳米Ni79Fe2 1颗粒包裹于Al2 O3 中 ,且电子间的量子相干效应明显 ,这可能是导致霍尔效应增强的主要原因。室温下测出了最大的巨霍尔效应值达到 4 .5 μΩ·cm。改变基片温度 ,发现巨霍尔效应值变化不大 ,说明该颗粒膜具有良好的热稳定性 。

金属-绝缘体颗粒膜的巨霍尔效应研究进展

介绍了金属-绝缘体颗粒膜巨霍尔效应的研究背景及样品的制备与测量,总结了近年来该领域的研究进展和应用前景,最后对研发应用中存在的问题和趋势提出了自己的看法。

GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究

在自旋电子学研究中,一般以超晶格结构、自旋阀、隧道结来实现,另一种自旋注入典型方法是稀磁半导体材料,如GaMnAs,本文通过颗粒膜实现自旋注入,利用磁控溅射法将Fe颗粒嵌入GaAs阵体上,制备了(GaAs)19Fe81颗粒膜样品,在室温条件下观测到15μΩ·cm最大饱和霍尔电阻率,该效应比纯铁的饱和霍尔电阻率大了一个数量级,成功地实现了自旋注入.

十年一瞬间--巨霍尔效应的故事

一直到了10多年以前，香港与台湾的地理与心理距离似乎有些遥远（北京、天津则当然更加杳不可及），两地之间的自然科学研究的交流也不常听闻．我个人与香港第一线科研人员的第一篇合作学术论文是在2001年发表的．那是与香港科技大学物理系的张西祥和沈平教授的团队之合作成果，大部分的工作，包括样品制作、实验量测和理论计算，都在香港科技大学完成．我们在新竹交通大学所执行的，

磁性金属-绝缘体颗粒薄膜

介绍了磁性金属 绝缘体颗粒薄膜的结构特征与电阻率的关系 ,评述了作为磁传感器件、高密度记录介质和读出磁头潜在应用相关的磁阻效应、巨霍尔效应、高矫顽力特性 .

Cu:SiO_2渗流系统电输运特性研究

研究了Cu与SiO2 组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性 ,该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值 ,不同于其它渗流系统 .并且在Cux(SiO2 ) 1 -x这一非磁性金属系统中 ,发现了巨霍尔效应 (GHE) ,其数值高于普通金属近 3个数量级 ,为霍尔传感器材料研究提供了新途径 .