TSV封装中互连结构的差分串扰建模研究

为了研究TSV封装中互连结构之间的串扰对差分信号传输特性的影响;针对硅通孔结构提出了一种改进型的"近邻硅通孔差分串扰"RLCG寄生参数模型,进而提出了一种适用于描述接地硅通孔对近邻硅通孔串扰影响的"接地硅通孔"RLCG寄生参数模型;针对层间互连线结构提出了一种改进型的"近邻平行互连线差分串扰"RLCG寄生参数模型,进而提出了一种"近邻垂直互连线差分串扰"RLCG寄生参数模型.在此基础之上,采用HFSS三维全波仿真方法对硅通孔和层间互连线的各种实际串扰状态进行了三维电磁场建模和分析.将RLCG模型的单端-单端串扰以及单端-差分串扰与HFSS模型的分析结果进行了对比,对比结果证明在0.1~30GHz宽频段内本文提出的上述4种RLCG电路模型能够较为准确的描述TSV封装内互连结构之间的串扰特性.

高密度封装中互连结构差分串扰建模与分析

针对传统模型存在较大分析误差的问题,提出高密度封装中互连结构差分串扰建模与分析。在对互连结构差分传输线耦合关系分析的基础上,建立了四线差分结构串扰模型。运用该模型对互连结构差分串扰中的电阻、电容以及电感进行等效分析,解决高密度封装中互连结构差分串扰问题。经试验证明,此次建立模型平均误差为0.042,满足抑制高密度封装中互连结构差分串扰问题的精度需求。