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适用于功率运算放大器的输入级放大电路设计
被引量:
6
1
作者
王勇勇
杨发顺
+2 位作者
王德成
胡锐
马奎
《电子技术应用》
2019年第1期27-30,共4页
基于70 V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopic cascode)结构,具有低偏置电流、低失调电压、低失调电流、...
基于70 V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopic cascode)结构,具有低偏置电流、低失调电压、低失调电流、高共模抑制比的特点。以共集-共射(CC-CE)的放大电路结构作为该输入级电路的负载,减小对输入级影响的同时能够提高电压增益。Spectre仿真结果表明,输入偏置电流仅为20 pA,失调电压为0.11 mV,失调电流为0.57 fA,连接负载后的增益可以达到89 dB,单位增益带宽达到8.13 MHz。
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关键词
差分套筒共源共栅
JFET
低偏置电流
功率运放
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职称材料
题名
适用于功率运算放大器的输入级放大电路设计
被引量:
6
1
作者
王勇勇
杨发顺
王德成
胡锐
马奎
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
贵州振华风光半导体有限公司
出处
《电子技术应用》
2019年第1期27-30,共4页
基金
国家自然科学基金(61464002
61664004)
+1 种基金
贵州省重大科技专项(黔科合重大专项字[2015]6006)
贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2017]5788号)
文摘
基于70 V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopic cascode)结构,具有低偏置电流、低失调电压、低失调电流、高共模抑制比的特点。以共集-共射(CC-CE)的放大电路结构作为该输入级电路的负载,减小对输入级影响的同时能够提高电压增益。Spectre仿真结果表明,输入偏置电流仅为20 pA,失调电压为0.11 mV,失调电流为0.57 fA,连接负载后的增益可以达到89 dB,单位增益带宽达到8.13 MHz。
关键词
差分套筒共源共栅
JFET
低偏置电流
功率运放
Keywords
differential telescopic cascode
JFET
low bias current
power operational amplifier
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
适用于功率运算放大器的输入级放大电路设计
王勇勇
杨发顺
王德成
胡锐
马奎
《电子技术应用》
2019
6
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