巯基三氮唑在铁表面电化学腐蚀行为的研究

通过电化学阻抗谱和极化曲线方法,在酸性腐蚀环境下,研究了巯基三氮唑在铁表面的腐蚀行为,研究结果表明:在铁/硫酸体系中,随着AAMT浓度的增加,缓释率逐渐增加,EIS和Tafel极化曲线测试结果基本一致。探讨了AAMT的缓释作用机理,AAMT属于对阴、阳极作用都有抑制的混合型缓蚀剂,主要是通过几何覆盖效应起缓释作用,为三氮唑类化合物的开发应用提供了理论和实验依据。

基于巯基三氮唑及其衍生物构筑配合物的研究进展

巯基三氮唑是一种含硫氮杂环有机化合物,由于具有多个配位点和较强的配位能力以及衍生物的多样性,近些年在配位化合物、医药等方面受到广泛研究。本文按照取代基数目的不同将巯基三氮唑衍生物分为疏基三氮唑、单取代巯基三氮唑、多取代巯基三氮唑、多臂巯基三氮唑衍生物,并按照分类系统地总结了近些年来这类配体及其金属配合物的合成方法和结构特征方面的研究成果,同时介绍了其金属配合物在药物、功能材料方面的应用。最后依据巯基三氮唑及其衍生物构筑配合物的研究现状,从配体、金属离子两方面对巯基三氮唑未来的研究方向进行了展望。

多巴胺在2-氨基-5-巯基-[1,3,4]三氮唑自组装膜电极上的准可逆行为研究及分析应用

利用新合成的巯基试剂2-氨基-5-巯基-[1,3,4]三氮唑在金电极表面进行了首次自组装,用电化学法和扫描电子显微镜对自组装膜电极进行了表征。研究了多巴胺在该自组装膜电极上的电化学行为,发现该自组装膜能有效促进多巴胺在电极与溶液之间的电子传递,表现为二电子传递的准可逆行为,电极反应速率常数为0.105cm/s。该自组装膜电极用于多巴胺注射液含量的测定,结果满意。

2-氨基-5-巯基-[1,3,4]三氮唑自组装膜电极对尿酸的电催化氧化及其分析应用

利用新合成的试剂2-氨基-5-巯基-[1,3,4]三氮唑在金电极上进行了自组装,对自组装电极进行了电化学和扫描电镜表征,研究了尿酸在该电极上的电化学行为。结果表明,尿酸在该电极上可被电催化氧化,方波伏安氧化峰电流与尿酸浓度在4.0×10-6～1.0×10-3mol/L范围内成分段线性关系,检出限为8.0×10-7mol/L。该电极能有效消除基体干扰,可用于对尿液样品中尿酸测定。

多巴胺在2-氨基-5-巯基-[1,3,4]三氮唑自组装膜电极上的电化学行为研究

利用新合成的巯基试剂2 氨基 5 巯基 [1,3,4]三氮唑在金电极表面进行了首次自组装,用电化学法和扫描电子显微镜对自组装膜电极进行了表征.研究了多巴胺在该自组装膜电极上的电化学行为,发现该自组装膜能有效促进多巴胺在电极与溶液之间的电子传递,表现为一二电子传递的准可逆行为,电极反应速率常数为0.1049cm/s.该自组装膜电极用于多巴胺注射液含量的测定,结果满意.

3-巯基-1,2,4-三氮唑合成研究

探讨了以甲酰胺、氨基硫脲为原料,在没有其他溶剂的条件下合成3-巯基-1,2,4-三氮唑方法。确定了最佳条件,n甲酰胺:n氨基硫脲:n水=1.2:1:2,反应温度100℃±2℃,后处理母液循环套用5次,产品收率可达到93%,含量大于96%,熔点221224℃。

介质pH对银基上4-甲基-4H-3-巯基-1,2,4-三氮唑成膜结构和缓蚀性能影响的SERS和电化学研究

在不同pH介质中,缓蚀试剂4-甲基-4H-3-巯基-1,2,4-三氮唑(4-MTTL)都能在银基底上形成自组装膜。SERS光谱表明:当pH=3时,4-MTTL分子是以硫醇式,通过两个氮原子为吸附位点,以较平躺方式在银表面构筑自组装膜;当介质为pH=7和pH=11时,4-MTTL以硫醇式,通过氮和硫原子为吸附位点倾斜或垂直方式作用于银表面。由于后者的吸附方式比前者更为垂直于表面,所以形成的膜中分子排列更为致密。电化学极化实验也表明,在pH=3的条件下,形成的4-MTTL单层有更正的腐蚀电位;在pH=11时,构筑的膜缓蚀能力强于pH=7的。并由电化学交流阻抗数据解析了相应的缓蚀机理。

水处理系统中铜缓蚀剂的应用研究

归纳总结了在水处理系统中常见的铜缓蚀剂的缓蚀机理及其在水处理系统中的应用,指出了常见的铜缓蚀剂应用中存在的一些问题:如低pH条件下BTA缓蚀效率下降、氧化性杀生剂对铜缓蚀剂的影响等,并介绍了有关铜缓蚀剂的一些研究和实验结果,最后指出了铜缓蚀剂研究的发展方向。

新型抑制剂对铜膜CMP后碟形坑与蚀坑的影响

为了控制铜膜(Cu)表面在化学机械平坦化(CMP)过程中产生碟形坑、腐蚀坑等缺陷,提出了将3-巯基-1,2,4-三氮唑(TAT)作为CMP抛光液中的抑制剂,研究了在抛光液低pH值条件下不同TAT浓度对Cu去除速率(RR)及静态腐蚀速率(SER)的影响,还研究了TAT对铜膜CMP后碟形坑和蚀坑的控制效果,并分析了其机理。铜膜去除速率和静态腐蚀速率实验结果显示:在抛光液低pH值条件下,随着TAT浓度的升高,Cu的去除速率和静态腐蚀速率均出现大幅下降,TAT能够起到抑制Cu去除速率的作用。碟形坑和蚀坑深度实验结果显示:采用加入TAT的抛光液抛光后,铜布线宽度/间距(L/S)为100μm/100μm的碟形坑深度由355 nm降为77 nm,L/S为9μm/1μm的蚀坑深度由172 nm降为81 nm,TAT能够有效控制抛光后碟形坑和蚀坑的深度。其控制机理为TAT能够与Cu形成一层钝化膜并吸附在铜膜表面阻碍其进一步的化学反应,并在机械作用下使得铜膜表面凸出和凹陷处产生较大的去除速率差,最终减小抛光后碟形坑和蚀坑的深度。