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Ag NWs@SH-GO复合透明导电薄膜的制备与电学性能
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作者 王迪 陈义川 +4 位作者 胡跃辉 张志秦 高皓 刘辉文 高友良 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2021年第5期788-794,共7页
针对银纳米线透明导电薄膜(Ag NWs-TCFs)电阻高、电学稳定性差的问题,利用巯基乙胺的巯基与氧化石墨烯枝接,自组装成巯基化氧化石墨烯(SH-GO),并通过SH-GO官能团与Ag NWs结合,制备了Ag NWs@SH-GO复合透明导电薄膜。结果显示,当SH-GO浓度... 针对银纳米线透明导电薄膜(Ag NWs-TCFs)电阻高、电学稳定性差的问题,利用巯基乙胺的巯基与氧化石墨烯枝接,自组装成巯基化氧化石墨烯(SH-GO),并通过SH-GO官能团与Ag NWs结合,制备了Ag NWs@SH-GO复合透明导电薄膜。结果显示,当SH-GO浓度为3 mg/mL时,Ag NWs@SH-GO复合透明导电薄膜的方块电阻为8.6Ω/sq,光透过率大于85%(波长550 nm);将其置于空气中60d后,方块电阻增加率仅为8.66%,表现出优异的环境稳定性;将样品弯曲1000次以后,方块电阻低于50.0Ω/sq,具有良好的机械抗弯曲性能。 展开更多
关键词 巯基化石墨烯 透明导电薄膜 电学性能稳定性
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