KGD质量和可靠性保障技术

通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与可靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55～+125℃的裸芯片静态、动态工作频率小于100MHz的测试和工作频率小于3MHz的125℃动态老化筛选,可保障裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求。

KGD技术发展与挑战

军用和民用电子系统中模块化和小型化发展的迫切需求使裸芯片在国内有着广泛的用途和市场,尤其是在军用HIC和MCM应用领域,裸芯片质量和可靠性保证一直是人们关注的热点。本文论述了国外KGD技术发展现状,以及国内发展KGD技术面临的机遇与挑战。论述了已知良好芯片(KGD)保证的主要技术要求,重点介绍了KGD夹具技术和工艺流程,为国内KGD技术的发展提供了技术指导。

裸芯片封装技术的发展与挑战

随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存在的一些不足之处,使得人们能够更加客观地看待一种新的技术,并且扬长避短地利用好它。一方面裸芯片的引入能够提高系统集成度和速度,这是裸芯片应用技术发展的必然性;另一方面针对裸芯片应用技术存在的问题,文章着重介绍了两种解决方法,即通过发展KGD技术和改进工艺的方法来提高裸芯片的质量和可靠性。

裸芯片老化技术评价

老化可以筛选出裸芯片的潜在缺陷并因此改善产品的外在质量与可靠性。同时,老化也是非常耗时与耗费人力的。如果对产品的可靠性水平要求较低,要想低成本获得已知良好芯片(KGD),一般是不采用老化程序,但如果想获得高可靠KGD,一定程度的老化是必不可少的。本文将介绍老化的三种通用方法并进行了比较分析。

功率裸芯片的测试与老化筛选技术

由于存在高温度、大电流等问题,传统的测试与老化筛选功率管的方法不能完全适用于功率裸芯片。介绍了采用临时封装夹具来测试与老化筛选功率裸芯片的技术,并根据功率裸芯片的实际情况,阐述了测试与筛选功率裸芯片的方法。