面内场对处于直流偏磁场压缩状态下的IID畴壁中布洛赫线链的影响

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ、（Ｈｉｐ）ＯＨＢ、（Ｈｉｐ）ＳＢ以及使ＶＢＬ全部解体的临界面内场Ｈ′ｉｐ与Ｈｂ无关．当Ｈｂ＞（Ｈｂ）ｔｈ时。

源自软磁畴段的布洛赫线链行为研究

在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁泡测量装置。为了表征磁泡薄膜,发现了含有"一盘"软磁畴段的H图形,并找到了"脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成"的研究课题。这使作者在1980年代初经受住了磁泡下马的冲击,迎来了1983年布洛赫线存储器方案的提出,发觉已具有研究其机理的条件,最终成为该存储器的终结者,并在1991年国际J.Mag.Mag.Mater.杂志第100纪念卷中荣幸地为"China"占了一席之地。从1992年以来,时间又过去了25年,但活生生的磁泡总在,当年报废的磁泡测量装置已经更新。盼望大学生和刚入门的研究者喜欢这台能显示赏心悦目的磁泡畴运动,能生动阐述铁磁学物理基础的研究导向性的物理实验设备。

温度对垂直布洛赫线链解体临界面内磁场区间的影响

实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度和（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈ＿ｉｐ都分布于一个与Ｔ有关的区间内，称为临界面内磁场区间：时，ＶＢＬ链保持不变，时，随着Ｈ＿ｉＰ的增加，越来越多的ＶＢＬ消失，时，所有ＶＢＬ都消失。及均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于降为零。比随Ｔ的升高而开高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为附近急剧升高且至，时趋于∞。对以上结果做了理论分析。

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕。