布里兹曼法碲镉汞（Hg_（1－x）Cd_xTe）晶体生长过程热场的数值分析

用控制容积法对布里兹曼法碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算．介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析．虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考．

布里兹曼法生长单晶径向温场分布分析(英文)

通过对温度场分布的定量分析,得到了温度随r,z和h的变化关系——T(r,z,h)的微分方程。结果表明:等温面的分布取决于温度梯度矢量的径向分量,而有利于单晶生长的情况仅限于■≥0,且固液交界面(S-L)是上凸的;当■<0,固液交界面呈下凹状,形成多晶,这对单晶生长不利。

用水平布里兹曼法生长GaSb单晶

GaSb是制作光电器件的重要衬底材料。在GaSb上外延生长三元或四元锑化物（如 AlGaSb、InGaAsSb或AlGaAsSb等）,其外延层晶格匹配良好,制成激光器介质损耗小、失散小、功率大,能很好地与氟化物玻璃光纤相匹配,可用于长距离光纤通讯。因此,GaSb是发展新一代光纤通讯与高速电子器件的基础材料。目前,生长GaSb单晶多用双坩埚法、氢气还原法与LEC法等直拉工艺。采用这些工艺易于获得大型锭条,但因GaSb熔点低、过冷度大且极易氧化,不易提高产品质量,产品位错密度通常在10~3～10~4cm^(-2)范围内。为此人们尝试以水平法生长GaSb单晶。

单晶Mnzn铁氧体生产研究

介绍了MnZn铁氧体单品的生产工艺,基本解决了其各种参数的均匀性和稳定性问题。

锰锌铁氧体单晶的制备

锰锌铁氧体单晶通常使用布里茲曼法生长,在生长大单晶时,虽然使用了好几种加热元件,但在惰性气氛中使用石墨加热体,在CO气氛中使用碳化硅加热元件更为合宜和经济。当诸如爐子最大温度,环境气氛的氧分压适合于生长条件时,用此法生长的多数锰锌铁氧体晶体是单晶体。当爐子最高温度足够高时,晶体生长轴接近平行于<110>方向。