空间微重力条件下碲镉汞晶体的布里支曼生长

在中国返回式卫星上进行了一台双温区空间晶体生长炉的搭载试验，成功地实现了空间微重力条件下碲镉汞晶体的布里支曼生长，取得了一些有意义的结果。文章介绍了这种晶体炉的设计和空间试验的过程；分析了回收样品的主要测试结果；

半导体材料产业的发展现状

3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法),成功制备出4～6英寸大直径GaAs单晶。

GaAs基器件的衬底选择

在生产GaAs基器件时，如何选择适当的衬底是个令人感兴趣的问题。目前，批量生产的衬底有两种，分别采用不同的工艺生长，即直拉法和布里支曼法。材料的使用者更关心的是材料的性能而不是其生产工艺。目前，可得到的两类衬底常称为“