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90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性
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作者 陈海峰 马晓华 +4 位作者 郝跃 曹艳荣 黄建方 王文博 李康 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2411-2415,共5页
研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大... 研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论. 展开更多
关键词 最大衬底电流应力 关态 带带遂穿 陷阱电荷 GIDL
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