1
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采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器(英文) |
潘立阳
朱钧
刘楷
刘志宏
曾莹
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
0 |
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2
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电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤 |
苏昱
朱钧
陈宇川
潘立阳
刘志弘
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
1
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3
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一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管 |
熊承诚
孙亚宾
石艳玲
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2022 |
0 |
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4
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一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器(英文) |
潘立阳
朱钧
刘志宏
曾莹
鲁勇
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
0 |
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5
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一种感应PN结隧穿场效应晶体管 |
张雪锋
王国军
顾春德
郭兴龙
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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6
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纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型 |
芦宾
王大为
陈宇雷
崔艳
苗渊浩
董林鹏
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2021 |
3
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7
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一种新型隧穿场效应晶体管 |
卜建辉
许高博
李多力
蔡小五
王林飞
韩郑生
罗家俊
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2019 |
0 |
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8
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可双向导通的凹栅隧穿晶体管 |
陈树鹏
王树龙
刘红侠
李伟
汪星
王倩琼
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
0 |
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9
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一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管 |
马恺璐
靳晓诗
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《微处理机》
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2020 |
1
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10
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一种高集成双向隧穿场效应晶体管 |
杨宝新
刘溪
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《微处理机》
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2022 |
0 |
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11
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具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管 |
王艺澄
靳晓诗
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《微处理机》
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2020 |
0 |
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12
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GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管 |
王素元
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2020 |
0 |
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13
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一种新型异质结双栅隧穿场效应晶体管 |
江瑞
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《科技创新与应用》
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2022 |
0 |
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14
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高驱动电流的隧穿器件设计 |
陈玉翔
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《电子产品世界》
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2020 |
0 |
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15
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n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究 |
李妤晨
沈路
张鹤鸣
刘树林
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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16
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具有夹层的垂直U型栅极TFET的设计 |
郭浩
朱慧珑
黄伟兴
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
0 |
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17
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双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究 |
王妍
靳晓诗
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《微处理机》
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2022 |
0 |
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18
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隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究 |
王源
张立忠
曹健
陆光易
贾嵩
张兴
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
3
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19
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超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究 |
陈海峰
过立新
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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20
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一种近红外宽光谱CMOS单光子雪崩二极管探测器 |
赵庭晨
朱思慧
袁丰
徐跃
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《功能材料与器件学报》
CAS
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2018 |
0 |
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