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关于TTL与非门带灌电流负载能力的探讨
被引量:
2
1
作者
邹华
王文凯
《潍坊教育学院学报》
2001年第3期21-21,35,共2页
对TTL与非门带灌电流负载能力 ,很多教材认为V0 随IL 线性变化 ,且很缓慢。但我们通过实验证实 ,IL 较小时 ,V0与IL 成线性关系 ,但超过一定限度后 ,此关系不再成立。此为教学中的一项新发现。
关键词
TTL与非门
三极管
集成电路
带灌电流负载能力
线性关系
数字电子技术
下载PDF
职称材料
题名
关于TTL与非门带灌电流负载能力的探讨
被引量:
2
1
作者
邹华
王文凯
机构
潍坊教育学院物理系
出处
《潍坊教育学院学报》
2001年第3期21-21,35,共2页
文摘
对TTL与非门带灌电流负载能力 ,很多教材认为V0 随IL 线性变化 ,且很缓慢。但我们通过实验证实 ,IL 较小时 ,V0与IL 成线性关系 ,但超过一定限度后 ,此关系不再成立。此为教学中的一项新发现。
关键词
TTL与非门
三极管
集成电路
带灌电流负载能力
线性关系
数字电子技术
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
关于TTL与非门带灌电流负载能力的探讨
邹华
王文凯
《潍坊教育学院学报》
2001
2
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