带电器件模型静电放电等效仿真电路与计算分析

带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进行分析;对该等效电路模型进行理论、实验与仿真研究,考察各参数对静电放电波形特性的影响。比对验证表明,等效电路的放电波形与标准波形具有较高的一致性:CDM静电放电表现为上升沿为百ps量级、最大峰值电流为数A量级、正/负周期多次振荡的冲击信号;器件自身等效电容越大则冲击脉冲越强,通路电阻也会明显改变静电冲击波形样态。地面操作中应充分考虑CDM静电放电风险,采取措施降低静电放电对电路和器件可能造成的损伤。

HBM、CDM静电放电模型及其失效特征研究

本文介绍了人体模型、带电器件模型两种典型的静电放电模型,对人体模型、带电器件模型的区别、静电放电失效机理进行了说明。通过对芯片进行人体模型、带电器件模型静电放电极限测试,获取不同静电放电模型芯片失效电压及其失效特征。实验结果表明,芯片抵抗人体模型、带电器件模型静电放电的能力没有直接关系,并不是抵抗人体模型静电放电能力强,耐带电器件模型静电放电能力就高;人体模型、带电器件模型静电放电极限测试后芯片损伤位置、损伤形貌存在差异。

高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用

带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)、电子束感应电流(EBIC)、透射电子显微镜(TEM),可以快速准确地定位失效位置并确认失效机理。通过分析先进制程芯片射频电路增益降低问题,确定了CDM泄放路径与失效形貌,并解释了CDM的损伤机理。通过高阶显微分析技术研究CDM失效问题,有助于优化ESD防护电路,提高芯片可靠性。

电子元器件静电放电模型及适用范围浅析

静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型。

静电放电模型及其失效特征分析

该文通过从理论入手,分析了3种静电放电模型,即:人体模型、机器模型及带电器件模型,找出3种静电放电模型所导致的器件失效特征,进而更加有效地帮助企业找出静电放电的根源,从而加强改进静电防护措施,减少因静电放电引起的不必要损失,提高产品可靠性。