外加电场对硫化镉晶须生长的影响研究

在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须 ,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪 ,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响。结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制 ;无论外加电场存在与否 ,沉积温度越高 ,硫化镉晶须越粗越长 ,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响 ;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异 ,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长 ,这可以由带电团簇模型来解释。