朔州市小叶杨防护林带间植被多样性与土壤理化性质的相关性分析

以朔州市作为试验研究地点,分析小叶杨防护林带间植被多样性和土壤理化性质相关性。方法于小叶杨防护林划分3组不同带间距,分别为5 m、10 m和15 m带间距,测定其不同带间距植被多样性和其土壤理化性质,分析二者相关性。结果:①植被多样性:带间距大小对小叶杨防护林植被多样性有显著影响,植被天然状态下,植被多样性、群落稳定性表现为15 m带间距>10 m>5 m(P<0.05);②土壤理化性质:随着带间距的增加,土壤理化性质(有机碳、全氮、速效磷和速效钾)表现为15 m>10 m>5 m(P<0.05),而土壤容重与其相反,表现为15 m<10 m<5 m(P<0.05);③相关性:植被多样性与土壤理化性质为相辅相成的关系,其中土壤容重与物种多样性指数呈显著负相关,有机碳、全氮、速效磷土壤理化性质与物种多样性指数呈显著正相关,速效磷相关性不显著。经试验研究结果表明,在小叶杨防护林中,适当增加防护林带间距有助于提升植被多样性,增强群落稳定性,改良土壤理化性质,以15 m效果最佳。

带间地表机械中耕施肥对黄花菜生长及除草效果的影响

为探索出一套适合盐池县黄花菜产业发展并能够被人们接受、经济效益好、实用的技术,设置了不同机械中耕次数(用1WG 4.0-95FQ-ZC3型微耕机分别于萌芽期、展叶期、抽薹期、萌蕾开花期和枯叶期5个生育期在120 cm的宽行带间进行不同次数的中耕处理)结合施肥处理,在盐池县扬黄灌区选择具有代表性的王乐井乡陈庄子自然村进行为期3年的带间地表机械中耕施肥试验,从田间杂草滋生、土壤理化性质、黄花菜生长发育情况和经济效益4个方面分析了机械中耕施肥对黄花菜生长及除草效果的影响。结果表明:于萌芽期、展叶期、抽薹期、萌蕾开花期和枯叶期5个生育期内在黄花菜宽行距120 cm的带间地表进行机械中耕(深度15 cm)并施肥,能有效消灭豆科的甘草和禾本科的冰草,机械中耕次数越多,效果越好,营造了细碎、疏松的土壤环境,优化了土粒结构,降低了土壤坚实度,提高了土壤肥力。对田间杂草的防除效果表现为机械中耕5次>机械中耕4次+人工中耕1次>机械中耕3次+人工中耕2次>机械中耕2次+人工中耕3次>机械中耕1次+人工中耕4次>人工除草5次,机械中耕5次处理减少了杂草的养分消耗,土壤有机质、氮、磷、钾含量均有所提高;土壤容重、孔隙度等指标得到改善,营造了良好的土壤环境;纤细根根系活力、功能叶片含水量、叶绿素a(鲜重)含量均高于其他处理,产量(干物质)3923 kg/hm^(2),产值196150元/hm^(2),产投比为4.16(较其他处理分别高8.05%、15.88%、24.92%、47.52%和53.51%),纯收入148978元/hm^(2)(较其他处理分别高7450、13750、21150、44350、46400元/hm^(2))。由此表明,盐池县黄花菜生育期内以机械中耕次数为4~5次并结合中耕每次施用尿素15 kg/hm^(2)、过磷酸钙15 kg/hm^(2)和硫酸钾10 kg/hm^(2)为宜,经济效益较好。

红外子带间量子级联激光器的短波极限

从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难 ,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二带模型、传播矩阵和分层逼近法 ,分析计算了以 Ga Sb为衬底的In As/Al Sb,In As/Al0 .6 Ga0 .4Sb,和以 In P为衬底的 In0 .5 3 Ga0 .4 7As/In0 .5 2 Al0 .4 8As的带阶 ,及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态 .发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的 56%～ 62 % ,而且受到导带间接能谷的限制而进一步减小 .设计提出了迄今发射最短波长为 2 .88μm的由 2 5个周期共 2 50个耦合量子阱组成、外加电场为 10 0 k

InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究

针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.

半导体超晶格子带间跃迁光吸收理论研究

从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质,以GaAs/AlxGa1-xAs超晶格为例进行数值计算,分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量(阱宽,垒宽,势垒高)的变化关系·计算表明:随着入射光光子能量的变化,出现非对称的吸收峰;光强只改变吸收系数大小;超晶格结构参量会改变吸收谱的谱宽和吸收峰所对应的入射光频率·随着超晶格阱宽(垒宽)的增大,吸收谱由宽变窄,吸收峰红移;随着超晶格Al组分变大,吸收谱变窄·

行带式固沙林带间植被恢复及土壤养分变化研究

通过植被和土壤调查,研究了赤峰市敖汉旗不同带间距离的行带式人工林带间植被恢复及不同恢复年限土壤养分变化的差异,从而阐明行带式固沙林对带间植被自然恢复和土壤发育的促进作用。结果表明:(1)行带式杨树人工林带能够明显地促进带间植被恢复与土壤发育;(2)带间距离的宽窄影响植被恢复及土壤发育效果为:带间距24m>带间距18m>带间距12m;(3)不同带间距对物种的生态位宽度有重要影响;(4)林带间的植被恢复效果符合高斯模型,根据高斯模型推算出当带间距介于28～40m时,林带将最大程度地发挥对带间植被恢复的促进作用。

带状间作不同带间距对玉米光能利用的影响

【目的】探究玉米单株生长环境一致情况下,不同玉米带间距离对带状间作玉米光能利用的影响。【方法】于2021—2022年,以传统间作(1M1S、2M1S)和玉米-大豆带状间作(2M2S、2M3S、2M4S)为研究对象,设置5种玉米带间距离,分别为1 m(1M1S,1行玉米﹕1行大豆)、1.2 m(2M1S,2行玉米﹕1行大豆)、1.6 m(2M2S,2行玉米﹕2行大豆)、2 m(2M3S,2行玉米﹕3行大豆)、2.4 m(2M4S,2行玉米﹕4行大豆),另外设2种单作玉米为对照,单作玉米行距分别为80 cm(M80)和40 cm(M40),分析光环境的差异对玉米光能截获和光能利用率(RUE)的影响。【结果】与单作玉米相比,带状间作改善了玉米冠层中下部的透光率,显著提高玉米的叶面积和光能利用率,增加玉米干物质积累,使玉米叶片保持较高的净光合速率,促进产量的增加。随着玉米带间距离的增加,玉米中下部的透光率升高,带状间作2M2S、2M3S和2M4S处理较单作M80和M40处理分别升高30.67%、20.62%、10.10%和112.70%、96.35%、79.23%。2M4S处理由于玉米占地面积最少,导致单位土地面积上玉米光能截获最小,分别低于单作M80和M40处理44.72%和53.54%,但2M4S处理的单株光能利用率分别是单作M80和M40的1.14和2.16倍。带状间作2M2S、2M3S、2M4S处理的产量较单作M80和M40处理分别提高4.97%、10.47%、13.43%和50.05%、57.08%、61.31%。【结论】在玉米单株生长环境一致时,玉米带间距离的增大改善了玉米冠层中下部的透光性,增大了玉米的叶面积,使叶片保持着较高的净光合速率和光合产物的累积,进而提高了玉米的光能利用率。2M4S处理玉米中下部透光率最大,玉米的净光合速率和干物质积累最高,导致光能利用率和产量优势最高。

Morse势阱中子带间的光吸收(英文)

研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出积极的作用 ,而三阶非线性吸收为负 ,抵消了一部分线性吸收 ,进而得到总的吸收系数 ;吸收系数随着入射光强度的增大而减小 ,即出现吸收饱和现象 ;当势阱参数a增大时 ,吸收系数增大 ,即阱宽较窄时 ,系统吸收的能量较多。若要获得较大的光学吸收系数 ,就要输入较小的光场强度 ,并选择适当的势阱参数a和入射光频率。

基于p-n结中反常光电转换现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器

实验发现p-n结中局域载流子具有极高抽取效率,同时伴随着吸收系数的大幅度增加.本文报道上述现象的发现和验证过程,以及基于此现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器(interband transition quantum well infrared detector,IQWIP)原型器件的性能.采用共振激发光致发光光谱技术,在InGaN量子阱、InGaAs量子阱、InAs量子点等多个材料体系中均观察到了在p-n结电场作用下的载流子高效逃逸现象,抽取效率分别为95%,87.5%,88%.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,实验尝试了制备新型的IQWIP原型器件.在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率.基于这个数值推算得到量子阱的光吸收系数达到3.7×10~4cm^(-1),该数值高于传统透射实验测量体材料和量子阱结果.此外,还利用InAsSb/GaSb量子阱材料体系进行了2μm以上波长红外探测的探索.利用上述现象,有望在提高现有器件性能的同时开发出新颖的光-电转换器件.

基于带间预测的非负支撑域受限递归逆滤波盲复原算法

针对非负支撑域受限递归逆滤波(NAS-RIF)算法对噪声敏感和耗时长等缺点,提出了一种改进的NASRIF盲复原算法。首先,为了改进原始NAS-RIF算法的抗噪性能和复原效果,引入了一种新的NAS-RIF算法代价函数;其次,为了提高算法的运算效率,结合Haar小波变换,仅对低频子频带的图像进行NAS-RIF算法复原,而高频子频带的信息,则通过带间预测分别从低频子频带的复原图像中预测得到;最后,为了保证高频信息的准确性,提出了一种基于最小均方误差(MMSE)的带间预测。分别对模拟退化图像和真实图像进行了仿真实验,采用该算法得到的信噪比增益分别为5.221 6 d B和8.103 9 d B。实验结果表明:该算法在保持图像边缘细节的前提下,能够较好地抑制噪声;此外,该算法的运算效率也得到了较大的提高。

多V带传动中带间张力差的均化探讨

分析了多条Ｖ带传动中各Ｖ带间传动张力不均的影响及其均化措施。

纵带间伐套种相思树控制松突圆蚧的研究

松突圆蚧Hemiberlesia pitysophila Takagi是重要的检疫性有害生物,严重影响松树生长。纵带间伐套种相思类阔叶树改变了沿海黑松林的生境条件,增强林木抗性,阻隔了松突圆蚧的传播途径,使林间的松突圆蚧虫口密度由间伐前(2002年)的4.58头/针束,降低到次年的0.82头/针束,虫口减退率为82%,平均防治效果达85.68%,到2005年平均防治效果达94.23%。

SiGe/Si多量子阱中的光致子带间吸收研究

本文论述了硅锗量子阱中的光致子带间吸收的机理 ,并在实验中探测 Si Ge/Si量子阱价带间的红外光致吸收 .载流子由氩离子激光器作为光泵浦源产生 ,所导致的红外吸收由一个步进式傅里叶变换光谱仪来探测 .在硅锗量子阱中的光致吸收有两个来源 :类似单一掺杂的 Si Ge薄层的体吸收的自由载流子吸收 ,及量子阱价带的子带间吸收 .实验探测了 TE和TM偏振方向的吸收 .TM偏振方向的吸收是由偏离布里渊带中心的载流子的跃迁所造成的 .

单模带间级联激光器(特邀)

基于锑化物的带间级联激光器同时具有带间跃迁的高增益和级联结构的高量子效率,是中红外波段重要的相干光源,其功耗低于其它中红外半导体激光器,因而单模带间级联激光器在基于激光吸收光谱技术的高分辨气体检测和化学传感等领域具有很大的优势。目前利用Bragg光栅实现波长选择的单模分布反馈带间级联激光器已经实现商品化,但是,与同样有源区结构的Fabry-Pérot腔带间级联激光器最高600 mW的出光功率相比,单模功率最高55 mW,损耗较大。对几种不同结构的分布反馈带间级联激光器的性能进行对比分析,探讨这类单模中红外激光器损耗的主要来源以及改进思路。此外,介绍了垂直腔面发射和光子晶体带间级联激光器的进展,并与分布反馈带间级联激光器的性能进行比较,讨论其优缺点及适用的场景。

耦合ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子点中的激子态和带间光跃迁

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结二维电子气 ( 2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射 (MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被 2DEG占据的双周期舒勃尼科夫 德哈斯 (SdH)振荡。实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小 ,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差。随着温度的升高 ,MIS振荡成为主要的振荡。由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同 ,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度 10和 17K之间最为强烈 ,其它温度下的调制很弱。

量子阱在沿其平面方向偏振太赫兹波驱动下子带间光吸收(英文)

利用半导体布洛赫方程,讨论了量子阱在沿其平面方向偏振的太赫兹场驱动下的光学吸收谱。研究结果揭示了半导体量子阱在沿平面方向偏振的强太赫兹场驱动下吸收谱的一些新奇效应,如主吸收的太赫兹边带、动态弗兰兹-凯尔迪什效应。太赫兹场的频率及其相位对探测场吸收谱的影响也很显著。

谐振带间隧道二极管

谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件，其突出特点在于其峰谷电流比谐振隧道二极管（属双势垒量子阱非极性器件）高。对其基本工作原理及结构进行了分析，介绍并讨论了这种结构在电路中的两项应用。

带间耦合相互作用对MgB_2超导体同位素效应指数的影响

在弱耦合极限下考虑带间相互作用,得到了二带s-波超导体临界温度Tc的公式及同位素效应指数的公式。在此模型中,耦合相互作用在每一带中包括两部分:电子-声子相互作用和非电子-声子相互作用,当Tc≈40K时,在弱耦合机制中得到MgB2的同位素效应指数αB=0.3,并且带间的电子-声子相互作用比非电子-声子作用对同位素效应指数的影响大。

掺杂浓度和温度对δ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响

在有效质量近似下,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-x As/Ga As双量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收系数的影响.研究发现,系统的本征能量随温度升高或随掺杂浓度的增大而增加;费米能量随温度升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加;子带间总的吸收系数随温度的升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加.除子带间跃迁3->6,4->5随温度升高线性光学吸收系数增加外,其他各主要子带间跃迁随温度升高线性光学吸收系数而减小;各子带间线性光学吸收系数随掺杂浓度的增大而增加.