谐振带间隧道二极管

谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件，其突出特点在于其峰谷电流比谐振隧道二极管（属双势垒量子阱非极性器件）高。对其基本工作原理及结构进行了分析，介绍并讨论了这种结构在电路中的两项应用。

高低肖特基势垒无掺杂隧道场效应晶体管研究

基于高低肖特基势垒机理提出一种无掺杂的隧道场效应晶体管HLSB-TFET。该器件只需要一个具有独立电源的栅电极且无需掺杂。在源极与中间硅区导带之间形成高肖特基势垒,用来产生隧道效应作为正向导通机制;在漏极与中间硅区导带之间形成低肖特基势垒,用于防止由热离子发射引起的空穴。所提出的HLSB-TFET对空穴具有自然的阻挡效应,不会随着漏极到源极电压的增加而显著降低。经过仿真验证,该器件的亚阈值摆幅较低,反向漏电与静态功耗均较小,体现出较高的应用优势。

隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备

利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料。其隧道结为GaAs。2个有源区分别为AlGaAs单量子阱和GaInP多量子阱。SEM照片表明,材料生长质量良好。用生长的材料制备了双沟深腐蚀结构F P腔激光器。器件的阈值电流为177mA,未镀膜时的单面斜率效率为1.3W/A,远场为单瓣,垂直和水平方向的发散角分别为8°和34°。在输出光功率为100mW时,2个激射波长分别为699nm和795nm,与PL测试结果相一致。

半导体二极管

Y98-61380-312 99044904H-SiCP^+N 和6H-SiC 肖特基二极管的静态与动态特性=Static and dynamic characteristics of 4H-SiC P^+Nand 6H-SiC Schottky diodes[会,英]/Tolkkinen,L.E.& Ramalingam,M.L.//1997 IEEE 32nd