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带隙参考电压源温度曲线固有弯曲的一种修正方法 被引量:2
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作者 林昭昭 李军 +3 位作者 雷鑑明 吴丹 陈军 刘三清 《电子工程师》 2004年第1期23-26,共4页
随着数模混合电路和模拟集成电路的进一步发展 ,在集成电路内部的设计中需要更高质量的内部稳压基准源。但实际上 ,基本带隙电压参考源中得到的参考电压温度系数并不为 0。文中着重分析了温度系数不为 0的原因 ,设计了一种能补偿其固有... 随着数模混合电路和模拟集成电路的进一步发展 ,在集成电路内部的设计中需要更高质量的内部稳压基准源。但实际上 ,基本带隙电压参考源中得到的参考电压温度系数并不为 0。文中着重分析了温度系数不为 0的原因 ,设计了一种能补偿其固有温度曲线弯曲的方法。此方法能使带隙参考电压源在相当宽的温度范围内具有相当低的温度系数。 展开更多
关键词 带隙参考电压源 温度曲线 固有弯曲 集成电路 戴维宁结构
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一种实用的带隙参考电压源曲率校正方法
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作者 柏晓鹤 陆铁军 胡贵才 《机电产品开发与创新》 2007年第3期124-126,共3页
在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构,这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势,使电路在工作区域可... 在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构,这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势,使电路在工作区域可取得很好的曲率校正效果。仿真结果表明,本电路结构实现了在整个工作温度范围内(-40℃~120℃)电压的变化只有0.001V。 展开更多
关键词 带隙参考电压源 温度系数 曲率校正
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一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计 被引量:17
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作者 陈碧 罗岚 周帅林 《电子器件》 CAS 2004年第1期79-82,共4页
阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10^(-6)/℃、。在3.3 V电源... 阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10^(-6)/℃、。在3.3 V电源电压下的功耗为3.8 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。 展开更多
关键词 带隙参考电压源 温度补偿 抑制比
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一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究 被引量:2
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作者 樊艳 王丽侠 《电子设计工程》 2011年第8期164-166,共3页
为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,提出了一种在0.25μmN阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了yM和y,的线性叠加,获得近似零温度系数... 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,提出了一种在0.25μmN阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了yM和y,的线性叠加,获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明,在3.3V电源电压下,当温度在-20~70℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数为10×10^-6/℃,输出电压的标准偏差为1mV,室温时电路的功耗为5.2831mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。 展开更多
关键词 带隙参考电压源 温度补偿 抑制比
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一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计
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作者 梁焰 吴玉广 《科技资讯》 2007年第30期68-69,共2页
在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、... 在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式,其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点,因而得到了广泛的应用。本文设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在SMIC0.25μmCMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真。 展开更多
关键词 带隙参考电压源 温度补偿 抑制比
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高精度低功耗带隙电压源设计
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作者 徐勇 关宇 +2 位作者 赵斐 肖红军 阎小静 《解放军理工大学学报(自然科学版)》 EI 2006年第4期326-329,共4页
设计了一种集成电路中带隙电压参考源。作为IP核集成应用于单芯片集成电路中,提供与温度及电源电压无关的1.22V电压参考基准。为克服半导体器件本身固有的温度特性,采用正负温度系数相互抵消的方法,设计实现了零温度系数的电压参考... 设计了一种集成电路中带隙电压参考源。作为IP核集成应用于单芯片集成电路中,提供与温度及电源电压无关的1.22V电压参考基准。为克服半导体器件本身固有的温度特性,采用正负温度系数相互抵消的方法,设计实现了零温度系数的电压参考源。设计表明,在-45~125℃温度范围内,输出电压温度系数仅为7ppm/℃,电源抑制比为-75dB。在5V电源电压作用下功耗电流为133μA,整个IP核芯片面积为285μm×285μm,采用0.6μm标准CMOS工艺实现。 展开更多
关键词 集成电路 知识产权核 电压参考 运算放大器 启动电路
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A 0.6 μm CMOS bandgap voltage reference circuit
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作者 梁帮立 王志功 +5 位作者 田俊 冯军 夏春晓 胡艳 张丽 熊明珍 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2003年第3期221-224,共4页
On the basis of mutual compensation of mobility and threshold voltage temperature effects, a stable CMOS band-gap voltage reference circuit was designed and fabricated in CSMC-HJ 0.6 μm CMOS technology. Operating fro... On the basis of mutual compensation of mobility and threshold voltage temperature effects, a stable CMOS band-gap voltage reference circuit was designed and fabricated in CSMC-HJ 0.6 μm CMOS technology. Operating from 0 to 85 ℃ under a supply voltage ranging from 4.5 to 5.5 V, the voltage reference circuit offers an output reference voltage ranging from 1.122 to 1.176 V and a voltage variation less than ±3.70%. The chip size including bonding pads is only 0.4 mm×0.4 mm and the power dissipation falls inside the scope of 28.3 to 48.8 mW operating at a supply voltage of 4.5 to 5.5 V. 展开更多
关键词 CMOS mutual compensation mobility and threshold voltage temperature effects
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