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带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计
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作者 冯秋霞 刘军 +1 位作者 蒋国平 孙俊岳 《电子科技》 2007年第12期54-59,共6页
基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V~5... 基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V~5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。 展开更多
关键词 带隙基准电压源电路 BICMOS 使能控制 低功耗
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A resistorless CMOS bandgap reference with below 1 V output
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作者 程剑平 朱卓娅 魏同立 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2003年第4期317-319,共3页
This paper proposes a resistorless CMOS bandgap reference (BGR) circuit capable of generating a voltage less than 1V and presents a high performance start up circuit that can make the BGR circuit achieve the correct ... This paper proposes a resistorless CMOS bandgap reference (BGR) circuit capable of generating a voltage less than 1V and presents a high performance start up circuit that can make the BGR circuit achieve the correct operation point at power on. The simulation with Hspice was carried out using a 0 25 μm CMOS process. The results indicate that the proposed BGR circuit can operate on a 2 2 to 3 3 V power supply and its output voltage has a variation of 11 mV at -10 to 80 ℃. 展开更多
关键词 bandgap reference start up circuit CMOS low voltage
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