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氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究
被引量:
1
1
作者
王广民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期44-47,共4页
报导了与Staebler-Wronski效应相关的氢化非晶硅(α-Si:H)带隙态密度的光诱导变化,结果表明光照将使α-Si:H带隙上半部分态密度的分布发生变化,采用AM1太阳光谱*光照两小时使得导带迁移率边以下0....
报导了与Staebler-Wronski效应相关的氢化非晶硅(α-Si:H)带隙态密度的光诱导变化,结果表明光照将使α-Si:H带隙上半部分态密度的分布发生变化,采用AM1太阳光谱*光照两小时使得导带迁移率边以下0.7eV处的带隙态密度从4×1016cm-3eV-1,增大到1×1017cm-3eV-1。
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关键词
氢化非晶硅
带隙态密度
光诱导变化
下载PDF
职称材料
自洽法计算非晶硅的带隙态密度
被引量:
2
2
作者
王广民
朱秉升
《华东工学院学报》
CAS
CSCD
1989年第1期66-70,共5页
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量...
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10^(16)cm^(-3)·eV^(-1)。
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关键词
非晶硅
自洽法
带隙态密度
全文增补中
题名
氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究
被引量:
1
1
作者
王广民
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期44-47,共4页
文摘
报导了与Staebler-Wronski效应相关的氢化非晶硅(α-Si:H)带隙态密度的光诱导变化,结果表明光照将使α-Si:H带隙上半部分态密度的分布发生变化,采用AM1太阳光谱*光照两小时使得导带迁移率边以下0.7eV处的带隙态密度从4×1016cm-3eV-1,增大到1×1017cm-3eV-1。
关键词
氢化非晶硅
带隙态密度
光诱导变化
Keywords
α-Si:H Density of Gap states S-W Effect
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
自洽法计算非晶硅的带隙态密度
被引量:
2
2
作者
王广民
朱秉升
机构
华东工学院光电技术系
西安交通大学
出处
《华东工学院学报》
CAS
CSCD
1989年第1期66-70,共5页
文摘
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10^(16)cm^(-3)·eV^(-1)。
关键词
非晶硅
自洽法
带隙态密度
Keywords
AmorPhous silicon
Density of gap states
Self-Consistent method
分类号
TN304.8 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究
王广民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
下载PDF
职称材料
2
自洽法计算非晶硅的带隙态密度
王广民
朱秉升
《华东工学院学报》
CAS
CSCD
1989
2
全文增补中
已选择
0
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导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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