一种基于带隙比较器的过热保护电路

设计了一种基于带隙比较器的过热保护电路。该电路可用于功率集成电路和电源管理芯片中。采用0.6μmBiCMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,该电路对温度灵敏度高,关断和开启温度点受电源电压和工艺参数变化的影响很小。通过比较器的迟滞功能防止了热振荡现象的发生。

可防误翻转高精度欠压锁存电路设计

在分析传统欠压锁存电路(UVLO:Under voltage lockout)工作原理的基础上,利用VIS 0.4μm BCD工艺设计一种具有防误翻转功能的高精度欠压锁存电路。该电路由3部分组成,以带隙比较器为核心,引入具有迟滞特性的防误翻转电路以保证欠压锁存信号能安全可靠地输出,并通过调整带隙基准的温度特性保证欠压锁存阈值精度,最后经过放大输出电路放大后,输出稳定的欠压锁存信号。采用Cadence软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明:在-40~125℃范围内欠压锁存阈值偏差最大为100 m V,阈值分辨率可达10-5 V,在3~5 V工作电压下,防误翻转电路开启阈值为2.95 V,能有效防止欠压锁存电路误翻转。该电路的设计理念和仿真结果有助于后期电源芯片的开发。

一种改进的基于BCD工艺的UVLO设计

基于CSMC 0.5 BCD工艺,设计了一种改进型无需基准电压源的欠压锁定(UVLO)电路。该欠压锁定电路在传统带隙比较器的基础上,引入高阶温度补偿和正反馈机制,使得该欠压锁定电路结构简单、温漂小、速度快、迟滞效果好、稳定性高。使用cadence spectre仿真,得到带隙比较器产生的带隙电压为1.183V,且在-60～160℃的温度范围内,温度系数仅为11.1ppm/℃,进而得到迟滞区间为1.56V,最大温度偏差不超过0.12V。另一方面,正反馈机制克服了传统带隙比较器两边镜像电流与采样电压变化方向一致的缺点,实现了UVLO输出电平迅速、稳定的转换。

开关电源控制器欠压锁定电路的研究

针对电源管理芯片中的重要模块UVLO,在带隙基准电压源结构的基础上,引入了对带隙基准的高阶温度补偿功能,有效减小迟滞电压的漂移。同时,该UVLO电路不需要外部提供基准电压和偏置电流,提高了模块电路的可靠性,而且电路具有结构简单、功耗低、电压精确、温度敏感性低等优点。在BCD工艺下,采用Cadence的Spectre软件对电路进行仿真验证。仿真结果证明了所设计UVLO的可行性和正确性。