常压化学汽相沉积TiO_x纳米光学薄膜及其用于太阳电池减反射膜的研究

报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀一致。采用该工艺制备的TiOx 减反射膜能使单晶硅太阳电池光电转换效率平均增加 10 %。

纳米TiOx光学薄膜的制备及性能分析

报道用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备 Ti Ox纳米光学薄膜的研究结果 ,分析衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,讨论在抛光硅片及绒面硅片上制备的 Ti Ox薄膜光学减反射特性 。

本市十八项工业重大骨干项目简解(四)

为了加快上海工业经济的发展和浦东的开发开放,促使上海早日成为“一个龙头、三个中心”的现代化国际大都市,根据市府领导关于工业项目要搞竞争性、规模性、外向性的要求,市经委决定在1994年集中资金和力量,抓一批投资在2亿元以上(合资项目在3000万美元以上)或年产值在10亿元以上的,且技术水平高、市场前景好、经济效益佳、能起支撑性作用、并在当年建成投产的重大骨干项目,作为上海工业结构调整的重大举措。为了让全市工业系统广大干部、职工大家都能来共同关心和支持这18项重大骨干项目的建设,切实抓好这批重大骨干项目的顺利实施和如期投产,尽快发挥投资效益,应读者要求,本刊在上几期已作初步介绍的基础上,将继续介绍这些重大骨干项目的技术水平、建设规模,经济效益和市场前景等情况,以供大家借鉴参考。

In_xGa_(1-x)N薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积 (MOCVD)技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明 ,采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致 ,InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为 0 .0 4 ,0 .0 6 ,0 .2 4 ,0 .2 6时 ,其弯曲因子分别为 3.4 0 ,2 .36 ,1.82 ,3.70。随In组分变化 ,InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律 ,表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。